天津大学何光伟获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利多孔碳/单层多孔六方氮化硼复合膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118767707B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410812309.4，技术领域涉及：B01D71/02；该发明授权多孔碳/单层多孔六方氮化硼复合膜及其制备方法和应用是由何光伟;姜忠义;赵静;董雨奥;王金月;马翰泽设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本多孔碳/单层多孔六方氮化硼复合膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多孔碳单层多孔六方氮化硼复合膜。通过控制低压气相化学反应的前驱体用量和氢气载气流量及反应温度、压力和时间，在单晶铜箔111表面形成单层多孔六方氮化硼薄膜。该薄膜具有高密度的三角形纳米孔，其是在薄膜生长过程中形成的缺陷形成的，其大小由孔所缺失的原子数决定，该薄膜的孔径尺寸分布较窄；在该薄膜表面进行旋涂、热解形成起保护支撑作用的多孔碳层，以实现构筑多孔碳单层多孔六方氮化硼复合膜。将该复合膜用于CO2N2、H2CH4体系的高温分离，在不同温度下对CO2、H2具有高渗透速率、高选择性，同时该膜具有良好的高温稳定性和长期稳定性。在碳捕集和氢气分离等领域展现出良好的应用前景。
本发明授权多孔碳/单层多孔六方氮化硼复合膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种多孔碳单层多孔六方氮化硼复合膜，其特征在于，将单晶铜箔111作为衬底并置于0.1～0.5Torr的化学气相沉积室中，保持所述衬底的温度在900～1050℃，通入体积流量为0.2sccm的环硼氮烷或氨硼烷作为前驱体，同时，通入体积流量为10～50sccm的氢气为保护气体，反应时间为1小时，反应结束后在所述单晶铜箔111衬底表面形成了单层多孔六方氮化硼薄膜；所述薄膜具有密度是1.4×1012～2×1012个孔cm2的三角形纳米孔；所述三角形纳米孔的孔径尺寸由反应过程中在该位置所缺失的氮、硼原子数决定，其中，95％～98％的三角形纳米孔缺失2～5个原子；在该薄膜表面进行旋涂、热解，形成一层厚度为100nm±25nm、孔径为20～40nm的多孔碳层，除去铜箔后即为所得。
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