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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利低压超结MOSFET的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118762996B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410907020.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权低压超结MOSFET的工艺方法是由刘冬华;许昭昭;田甜设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本低压超结MOSFET的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种低压超结MOSFET的工艺方法，在第一导电类型的衬底上外延形成第一导电类型的外延层；利用离子注入的方法在外延层表面形成第二导电类型的体区，之后对体区进行热扩散推进；在体区上形成硬掩膜层和光刻胶层；光刻打开光刻胶层以定义出栅沟槽的形成位置，之后利用各向异性刻蚀的方法在硬掩膜层上形成开口至外延层上，以硬掩膜层为掩膜刻蚀开口底部的外延层以形成第一栅沟槽，第一栅沟槽从外延层的上表面向下延伸穿过体区；沿第一栅沟槽延伸方向的垂直方向回推刻蚀外延层形成第二栅沟槽，从而使得第二栅沟槽缩进硬掩膜层之内；在栅沟槽表面形成离子注入保护层。本发明可以避免在柱体区注入时体区和柱体区在沟道区连接在一起。

本发明授权低压超结MOSFET的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种低压超结MOSFET的制造方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、在第一导电类型的衬底上外延形成第一导电类型的外延层； 步骤二、利用离子注入的方法在所述外延层表面形成第二导电类型的体区，之后对所述体区进行热扩散推进； 步骤三、在所述体区上形成硬掩膜层和光刻胶层；光刻打开所述光刻胶层以定义出栅沟槽的形成位置，之后利用各向异性刻蚀的方法在所述硬掩膜层上形成开口至所述外延层上，以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述开口底部的所述外延层以形成第一栅沟槽，所述第一栅沟槽从所述外延层的上表面向下延伸穿过所述体区； 步骤四、沿所述第一栅沟槽延伸方向的垂直方向回推刻蚀所述外延层形成第二栅沟槽，从而使得所述第二栅沟槽缩进所述硬掩膜层之内； 步骤五、在所述栅沟槽表面形成离子注入保护层，以所述硬掩膜层为离子注入的掩膜，以所述离子注入保护层作为离子注入的掩蔽层，利用自对准注入在所述栅沟槽的底部形成第二导电类型的柱体区，其中，所述柱体区不与所述体区形成接触； 步骤六、去除所述离子注入保护层和所述硬掩膜层，在所述栅沟槽形成栅介质层；形成填充剩余所述栅沟槽的栅极多晶硅层； 步骤七、在所述栅沟槽两侧的所述体区上方形成源端重掺杂区，在所述栅极多晶硅层上形成绝缘介质层，在所述源端重掺杂区上形成接触孔，在所述接触孔下方的所述体区上进行重掺杂注入，经热扩散形成重掺杂区，同时激活所述重掺杂注入的杂质注入； 步骤八、形成填充所述接触孔的导电金属，之后形成源端、体区端金属层以及漏端金属层。

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