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龙图腾网获悉广州穗源微电子科技有限公司申请的专利一种毫米波低插损高隔离的射频开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118748552B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410920619.8，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种毫米波低插损高隔离的射频开关电路是由付艺雯;陈哲;刘祖华设计研发完成，并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种毫米波低插损高隔离的射频开关电路在说明书摘要公布了：一种毫米波低插损高隔离的射频开关电路，包括接收支路电路、发射支路电路以及栅偏置电压RG；发射支路电路通过传输线TL1与发射支路的天线端ANT连接；栅偏置电压RG耦接于GaNHEMT开关管VGS1，栅偏置电压RG耦接有等效LC并联电路，等效LC并联电路通过传输线TL1以及传输线TL3与发射支路的天线端ANT连接；接收支路电路通过传输线TL2与接收支路的天线端ANT连接；栅偏置电压RG耦接于GaNHEMT开关管VGS2，栅偏置电压RG耦接有等效LC并联电路，等效LC并联电路并联有等效RC并联电路，等效LC并联电路通过传输线TL2以及传输线TL4与接收支路的天线端ANT连接，本申请通过等效LC并联电路与等效RC并联电路来实现射频开关的低插损高隔离度的效果。

本发明授权一种毫米波低插损高隔离的射频开关电路在权利要求书中公布了：1.一种毫米波低插损高隔离的射频开关电路，其特征在于，包括： 接收支路电路2、发射支路电路1以及栅偏置电压RG； 所述发射支路电路1通过传输线TL1与发射支路的天线端ANT3连接；所述栅偏置电压RG的一端耦接于GaNHEMT开关管VGS1，所述栅偏置电压RG的另一端耦接于第二并联枝节GaNHEMT开关管M1的栅极，所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M1的漏极通过传输线TL1与发射支路的天线端ANT3连接；所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M1的源极接地；所述栅偏置电压RG耦接有等效LC并联电路，所述等效LC并联电路并联有等效RC并联电路，所述等效LC并联电路通过传输线TL1以及传输线TL3与发射支路的天线端ANT3连接； 所述接收支路电路2通过传输线TL2与接收支路的天线端ANT3连接；所述栅偏置电压RG的一端耦接于GaNHEMT开关管VGS2，所述栅偏置电压RG的另一端耦接于第二并联枝节GaNHEMT开关管M2的栅极，所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M2的漏极通过传输线TL2与接收支路的天线端ANT3连接；所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M2的源极接地；所述栅偏置电压RG耦接有等效LC并联电路，所述等效LC并联电路并联有等效RC并联电路，所述等效LC并联电路通过传输线TL2以及传输线TL4与接收支路的天线端ANT3连接； 所述发射支路电路1中的等效LC并联电路包括谐振电感TL5以及第二并联枝节GaNHEMT开关管M3，所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M3的栅极耦接于栅偏置电压RG，所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M3的源极与漏极之间串联有谐振电感TL5构成所述等效LC并联电路，所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M3的源极并联等效RC并联电路，所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M3的漏极耦接发射支路的发射端TX与传输线TL3，所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M3的漏极通过传输线TL3以及传输线TL1与发射支路的天线端ANT3连接； 所述接收支路电路2中的等效LC并联电路包括谐振电感TL6以及第二并联枝节GaNHEMT开关管M4，所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M4的栅极耦接于栅偏置电压RG，所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M4的源极与漏极之间串联有谐振电感TL6构成所述等效LC并联电路，所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M4的源极并联等效RC并联电路，所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M4的漏极耦接接收支路的接收端RX与传输线TL4，所述第二并联枝节GaNHEMT开关管M4的漏极通过传输线TL4以及传输线TL2与接收支路的天线端ANT3连接。

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