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龙图腾网获悉江苏大学申请的专利一种异步起动不均匀磁障双转速变极永磁电机的转子结构及其逆向设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118748482B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410761742.X，技术领域涉及：H02K1/276；该发明授权一种异步起动不均匀磁障双转速变极永磁电机的转子结构及其逆向设计方法是由杜怿;法赫罗萨达特·科罗克齐昂;高文韬设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异步起动不均匀磁障双转速变极永磁电机的转子结构及其逆向设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异步起动不均匀磁障双转速变极永磁电机的转子结构及其逆向设计方法，先完成基于磁阻转矩分量的气隙磁导设计、基于永磁转矩分量的气隙磁通密度设计，再基于气隙磁导和气隙磁通密度完成不均匀磁障和永磁体的合成优化设计；基于上述设计方法，得到的转子结构为：永磁体内置于转子铁心内部，相邻两块永磁体使用磁障进行分隔，设置不同磁障的跨距，使磁障不对称分布。本发明基于转子结构对气隙磁场的调制作用，通过定子绕组选取气隙磁场中工作谐波的极对数，实现电机的变极变转速运行；且永磁体用量低，大幅降低电机的材料成本。

本发明授权一种异步起动不均匀磁障双转速变极永磁电机的转子结构及其逆向设计方法在权利要求书中公布了：1.一种异步起动不均匀磁障双转速变极永磁电机的转子结构逆向设计方法，其特征在于： 1基于磁阻转矩分量Tre的气隙磁导Λg设计 变极前后p1、p2对极电枢磁场分别与气隙磁导中的两个分量耦合，产生两种对极的磁阻转矩分量Tre1和Tre2，两磁阻转矩分量的比值关系定义为一个变量b： 对上式进行变换，将p1对极和p2对极电机的气隙磁导比值定义为b’： 永磁电机变极前后的端电压一致，即Vph1＝Vph2，因此得到电机的总气隙磁导率为： 其中：ωe1和ωe2分别表示在p1和p2对极下的同步转速，Vph1和Vph2分别为p1和p2对极所对应的定子电枢绕组端电压，Λp1和Λp2分别表示p1和p2对极电机的气隙磁导，N1和N2分别表示p1对极和p2对极电枢绕组的每相串联匝数，Λ0表示总气隙磁导率的直流分量，kw1和kw2分别表示p1对极和p2对极的电枢绕组系数，θ表示转子位置； 2基于永磁转矩分量TPM的气隙磁通密度B设计 变极前后p1和p2对极电枢磁场分别与永磁体磁通密度中的两个分量耦合，产生两种对极的永磁转矩分量TPM1和TPM2，两永磁转矩分量比值关系定义为一个变量k： 对上式进行变换，将p1对极和p2对极电机永磁气隙磁通密度比值定义为k’： 永磁电机的总气隙磁通密度表示为： B＝k′Bp1cosp2θ+Bp1cosp1θ 其中：f1和f2分别表示p1对极和p2对极电机的频率，τ1和τ2分别表示p1对极和p2对极电机的极距，Bp1和Bp2分别表示p1对极和p2对极电机的气隙磁通密度的基波幅值，E01和E02分别表示p1对极和p2对极电机的空载反电势； 3基于气隙磁导Λg和气隙磁通密度B的不均匀磁障和永磁体的合成优化设计 将p2对极电机的气隙通磁密度定义为优化目标； 定义边界条件： 永磁体及其两端磁障的跨距α、永磁体不包含其两端磁障的跨距β的拉格朗日函数表示为： 迭代计算所述拉格朗日函数的极值，得到使最优时，α和β的取值，即，使气隙磁通密度达到最优值的永磁体及不均匀磁障的尺寸参数和排布方式； 其中：τp1和τp2分别表示p1对极和p2对极电机永磁体的平均极弧跨距，αi表示第i个永磁体及其两端磁障的跨距，βi表示第i个永磁体不包含其两端的磁障的跨距，d和e分别表示拉格朗日函数系数。

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