隆基绿能科技股份有限公司范卫芳获国家专利权
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龙图腾网获悉隆基绿能科技股份有限公司申请的专利一种太阳能电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118658896B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410718318.7，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种太阳能电池和光伏组件是由范卫芳;汝小宁;周文远;吴晶;陈少锋;曲铭浩;徐希翔设计研发完成，并于2024-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域。太阳能电池包括：硅衬底；硅衬底包括第一侧和第二侧；第一半导体层，位于第一侧上；第一导电层位于第一半导体层背离硅衬底的一侧上；第一半导体层与硅衬底之间的交界线的粗糙度，小于第一半导体层与第一导电层之间的交界线的粗糙度。第一半导体层与硅衬底之间的交界线较平整，可减少界面复合损失，提高界面的钝化效果，从而提高开路电压，并减少对第一半导体层的厚度的要求，从而减少了第一半导体层对光的吸收，提升了电池的短路电流。第一半导体层与第一导电层之间的交界线较为粗糙，可增强第一半导体层与第一导电层的接触，并增强载流子向第一导电层的传输，有利于提升填充因子。
本发明授权一种太阳能电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 硅衬底；所述硅衬底包括：相对的第一侧和第二侧，所述第一侧为背光侧，所述第二侧为向光侧； 第一半导体层，位于所述第一侧上，且与所述硅衬底的导电类型不同，在所述第一半导体层和所述硅衬底之间形成PN结； 第一导电层，位于所述第一半导体层背离所述硅衬底的一侧上； 在所述太阳能电池的截面中，所述第一半导体层与所述硅衬底之间的交界线的粗糙度，小于所述第一半导体层与所述第一导电层的交界线的粗糙度；所述交界线的粗糙度为：在硅衬底绒面结构的塔尖和塔底之间任选500nm以内的交界线的起伏程度； 所述第一半导体层包括：靠近所述第一导电层的第一表面；所述第一表面包括若干凹凸结构；所述第一表面中至少部分凹凸结构有序排列；所述凹凸结构是沿着所述第一半导体的厚度方向延伸的柱状结构。
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