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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118647247B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410773674.9，技术领域涉及：H10K71/18；该发明授权一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法是由杨开宇;黄兴云;李福山;胡海龙;林立华设计研发完成，并于2024-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其全彩发光层通过以下方法进行制备：首先通过热纳米压印聚合物形成条形沟槽，将不发光的材料通过溶液法沉积到聚合物沟槽中形成条纹；然后通过溶液法沉积第一量子点至所述条纹之间的空隙中，接着将成型后的量子点纵向转印到基板上，之后将基板浸入热溶剂中将聚合物洗去，以留下被不发光条纹裹夹的第一量子点条纹；再用同样的方法横向转印制备第二量子点条纹；最后将第三量子点通过溶液法沉积到第一、第二量子点的交叉条纹的空白位置中，形成被不发光条纹阻隔的全彩量子点阵列。

本发明授权一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其特征在于： 其全彩发光层通过以下方法进行制备： 首先通过热纳米压印聚合物形成条形沟槽，将不发光的材料通过溶液法沉积到聚合物沟槽中形成条纹； 然后通过溶液法沉积第一量子点至所述条纹之间的空隙中，接着将成型后的量子点纵向转印到基板上，之后将基板浸入热溶剂中将聚合物洗去，以留下被不发光条纹裹夹的第一量子点条纹；再用同样的方法横向转印制备第二量子点条纹； 最后将第三量子点通过溶液法沉积到第一、第二量子点的交叉条纹的空白位置中，形成被不发光条纹阻隔的全彩量子点阵列； 制备过程包括以下步骤： 1对基板进行表面清洗和处理，确保表面光滑； 2在基板上旋涂空穴注入层，并进行退火处理； 3利用旋涂技术将空穴传输层材料沉积在空穴注入层上，生成有机半导体薄膜； 4通过热纳米压印制备聚合物沟槽； 5将不发光材料通过自组装的方法在聚合物薄膜上形成条纹； 6将第一量子点利用转印的方法转印到基板上形成第一颜色竖线条； 7将第二量子点利用转印的方法转印到基板上形成第二颜色横线条； 8将第三量子点通过溶液法沉积到基板上，形成三种颜色规则排列的全彩发光层； 9旋涂电子传输层，并进行退火处理； 10蒸镀银电极； 11封装器件。

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