华天科技(昆山)电子有限公司赵艳娇获国家专利权
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龙图腾网获悉华天科技(昆山)电子有限公司申请的专利一种高密度的POP封装结构的封装方法及其产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118486599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410694080.9，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种高密度的POP封装结构的封装方法及其产品是由赵艳娇;马书英;陈富军设计研发完成，并于2024-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高密度的POP封装结构的封装方法及其产品在说明书摘要公布了：本发明公开一种高密度的POP封装结构的封装方法及其产品，该封装方法包括以下步骤：将第一芯片组贴装在载板Ⅰ上；对第一芯片组进行包封；去除载板Ⅰ，形成第一封装体；将第一封装体贴装在载板Ⅱ上；在载板Ⅱ上面压合干膜，形成铜柱；将第二芯片组贴装在第二金属重布线层上，对第二芯片组进行包封；去除载板Ⅱ，将铜柱暴露；形成第三金属重布线层，并植球。本发明采用干膜及金属重布线层替代常规使用的TSV转接板，降低了封装制造成本，采用第一金属重布线层和第二金属重布线层将第一芯片组与第二芯片组电连，通过第三金属重布线层及铜柱将电性耦合至外部的封装单元，能够实现两层高密度堆叠封装，有效提高产品的集成度，实现产品的多功能化。
本发明授权一种高密度的POP封装结构的封装方法及其产品在权利要求书中公布了：1.一种高密度的POP封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：提供一载板Ⅰ，在载板Ⅰ上制作第一金属重布线层； 步骤二：将第一芯片组贴装在第一金属重布线层上； 步骤三：对第一芯片组进行底部点胶固化和包封； 步骤四：去除载板Ⅰ，形成第一封装体； 步骤五：提供一载板Ⅱ，将步骤四所得第一封装体贴装在载板Ⅱ上且二者之间设置有散热片； 步骤六：在载板Ⅱ上面压合干膜，采用光刻技术形成铜柱开口； 步骤七：对铜柱开口进行堵孔，形成铜柱； 步骤八：对第一封装体顶部进行研磨减薄，暴露出铜柱以及第一金属重布线层； 步骤九：制作第二金属重布线层； 步骤十：将第二芯片组贴装在第二金属重布线层上，对第二芯片组进行底部点胶固化和包封；去除载板Ⅱ，将铜柱暴露出来； 步骤十一：对步骤十所得封装体进行重布线，形成第三金属重布线层，在第三金属重布线层表面形成锡球，完成信号导出。
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