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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种栅极调控无注入型发光器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118382317B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410510141.1，技术领域涉及：H10K50/30；该发明授权一种栅极调控无注入型发光器件结构是由张永爱;邹振游;翁书臣;林怡彬;周雄图;吴朝兴;郭太良设计研发完成，并于2024-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅极调控无注入型发光器件结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种栅极调控无注入型发光器件结构，涉及光电显示领域，器件结构包括：无注入型发光单元、栅极绝缘层、栅极调控电极；无注入型发光单元依次包括：第一电极、绝缘层、量子点发光层、载流子传输注入层、第二电极；栅极绝缘层设置于无注入型发光单元与栅极调控电极之间，栅极调控电极位于第一电极或第二电极所在侧；在器件工作时，第一电极与第二电极施加第一交流电源，第一交流电源用于为无注入型发光单元提供电场使其发光，栅极调控电极相对于第一电极或第二电极施加偏置电源，偏置电源用于构建电场调控无注入型发光单元内的载流子的迁移率而调整无注入型发光单元的发光亮度或发光效率。本发明通过栅极调控实现发光效率的提升或发光亮度的提升。

本发明授权一种栅极调控无注入型发光器件结构在权利要求书中公布了：1.一种栅极调控无注入型发光器件结构，其特征在于，所述器件结构包括：无注入型发光单元、栅极绝缘层、栅极调控电极；所述无注入型发光单元与所述栅极调控电极之间设置有所述栅极绝缘层； 所述无注入型发光单元包括：发光材料层、设置于所述发光材料层两侧的第一电极、第二电极、设置于所述第一电极与所述发光材料层之间的第一介质层、设置于所述第二电极与所述发光材料层之间的第二介质层； 所述第一介质层与所述第二介质层中至少有一个为无注入绝缘层，且余下为载流子传输注入层； 所述栅极调控电极位于所述第一电极或所述第二电极所在侧； 在所述器件工作时，所述第一电极与所述第二电极施加第一交流电源，所述第一交流电源用于为所述无注入型发光单元供电发光，所述栅极调控电极相对于所述第一电极和或所述第二电极施加偏置电源，所述偏置电源用于构建电场调控所述无注入型发光单元内的载流子的迁移率而调整所述无注入型发光单元的发光亮度或发光效率。

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