深圳市昇维旭技术有限公司王景皓获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利存储单元、存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118201357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410339162.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元、存储器及其制作方法是由王景皓设计研发完成，并于2024-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种存储单元、存储器及其制作方法，存储单元设置在衬底一侧的隔离层中，隔离层包括容置孔，存储单元包括沟道层、绝缘介质层、栅电极层和栅介质层，沟道层包括堆叠设置且形成间隔的第一沟道和第二沟道，第一沟道位于容置孔中，第二沟道至少部分位于容置孔中；绝缘介质层至少形成在第一沟道和第二沟道之间；栅电极层包括第一栅极和第二栅极，第一栅极形成在第一沟道的内孔内且与第二沟道直接或间接连接，第二栅极至少部分形成在第二沟道的内孔内；栅介质层形成在栅电极层和沟道层之间。沟道层、栅介质层和栅电极层形成堆叠设置的垂直沟道的读取管和写入管，减小了存储单元占用面积，提高了晶体管的集成密度。
本发明授权存储单元、存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元设置在衬底一侧的隔离层中，所述隔离层包括容置孔，所述存储单元包括： 沟道层，包括堆叠设置且形成间隔的第一沟道和第二沟道，所述第一沟道位于所述容置孔中，所述第二沟道至少部分位于所述容置孔中，所述第一沟道远离所述衬底一侧具有第一内孔，所述第二沟道远离所述衬底一侧具有第二内孔； 绝缘介质层，至少形成在所述第一沟道和所述第二沟道之间； 栅电极层，包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极形成在所述第一内孔内且与所述第二沟道直接或间接连接，所述第二栅极至少部分形成在所述第二内孔内； 栅介质层，形成在所述栅电极层和所述沟道层之间； 所述存储单元还包括导体层，所述导体层包括第一导体部，所述第一导体部至少部分位于所述第一栅极和所述第二沟道之间，所述第一栅极和所述第二沟道通过所述第一导体部间接连接，所述绝缘介质层环绕所述第一导体部设置。
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