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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种4H-SiC及其超快速的制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118146001B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410272671.7，技术领域涉及：C04B35/565；该发明授权一种4H-SiC及其超快速的制备方法和应用是由左飞;巫润东;邓亚宁;詹林翰;林华泰设计研发完成，并于2024-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种4H-SiC及其超快速的制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及SiC材料高温制备技术领域，具体公开了一种4H‑SiC及其超快速的制备方法和应用，该制备方法包括将SiC原料与有机助剂和烧结助剂在水中混匀形成浆料混合物，通过材料成型工艺得到SiC样品，并在碳基粉末介质中，对SiC样品高温烧结，冷却得到所述的4H‑SiC；所述高温烧结的方法：通过控制脉冲电流，实现超快速的升温后保温；所述超快速的升温的速率为200‑10000℃min；超快速的升温的时间为15s‑150s保温的时间为20s‑600s。本发明的制备过程时间大幅缩短，能源利用率大幅提升，且提高了多晶4H‑SiC的生产效率，4H相含量高、导电率高，利于低成本工业化生产。

本发明授权一种4H-SiC及其超快速的制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种4H-SiC超快速的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、将SiC原料粉末与有机助剂和烧结助剂在水中混合均匀形成浆料混合物； S2、将浆料混合物通过材料成型工艺得到SiC样品； S3、在惰性气体的保护下，对SiC样品进行碳基粉末介质的高温烧结，随后冷却，得到所述的4H-SiC； 步骤S3所述碳基粉末介质的高温烧结的方法为：在填充碳基导电粉体的绝缘材料中，通过控制脉冲电流，实现超快速的升温，之后保温；所述超快速的升温的速率为1000-10000℃min；所述超快速的升温的时间为15s-150s；所述保温的时间为200s-300s； 步骤S1所述SiC原料、有机助剂和烧结助剂的质量比为100：1-5：0.1-3； 步骤S1所述有机助剂由质量比为1-3：3-5：0.5-3：0.1-1的D-果糖、聚乙二醇、聚丙烯酸和羟甲基纤维素组成； 步骤S1所述烧结助剂为B2O3和或BOH3； 步骤S3所述4H-SiC的质量含量大于50%； 步骤S3所述控制脉冲电流的方法包括将两个电极插入碳基导电粉体中，将SiC样品填埋于两个电极之间的粉体中，进行控制脉冲电流。

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