上海新势聚芯医疗科技有限公司阎宗汉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新势聚芯医疗科技有限公司申请的专利离子敏感场效应晶体管与延展式场效应生物检测芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118032901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410329427.X，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权离子敏感场效应晶体管与延展式场效应生物检测芯片是由阎宗汉;彭之荣;黄念祖;陈昌汉;陈禹铨;王良德;张建荣设计研发完成，并于2024-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子敏感场效应晶体管与延展式场效应生物检测芯片在说明书摘要公布了：针对现有二维离子敏感场效应晶体管与延展式栅极场效应晶体管的缺点与限制，提出一种离子敏感场效应晶体管与一种延展式场效应生物检测芯片。除了将栅极往芯片上方延伸或是在栅极上配置金属内连接，让与待检测生物样本进行反应的区域远离晶体管信道藉以减少噪声与干扰，也将位于晶体管通道上方的导体的轮廓调整为具有往不同方向延展的不同部份，藉以增加与待检测生物样本的反应面积进而提升反应效率与精度。另外，让单一个晶体管对应到多个或甚至多数组电极，甚至让多个相邻晶体管都如所述配置并且相互分组搭配，以及将与待检测生物样本反应所产生讯号输出到外界电路，藉以同时检测多个或甚至多数组待检测生物样本，并且降低耗材成本与噪声。
本发明授权离子敏感场效应晶体管与延展式场效应生物检测芯片在权利要求书中公布了：1.一种离子敏感场效应晶体管，其特征在于，包括： 基材； 栅极，设置于基材上； 第一传导结构，沿着垂直于基材表面的方向延伸，第一传导结构的一端与栅极连接； 浮动栅极，与第一传导结构的另一端连接，并且与基材相分离； 至少一个第二传导结构， 至少一个第二传导结构为多个第二传导结构，至少一个第二传导结构中的任一第二传导结构与其他的第二传导结构相互分离，并且至少一个第二传导结构均与第一传导结构连接。
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