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龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司申请的专利一种芯片连结的工艺方法和一种芯片模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117936397B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311832238.6，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种芯片连结的工艺方法和一种芯片模组是由吴灵美;王令;吴昊霖;符广学;刘磊仁;勾涵设计研发完成，并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片连结的工艺方法和一种芯片模组在说明书摘要公布了：本发明提供了一种芯片连结的工艺方法和一种芯片模组，该工艺方法包括在DBC衬底的芯片焊接层的第一区域上逐层生长能够进行瞬态液相烧结的第一金属层和第二金属层；第一金属层为高熔点金属，第二金属层为低熔点金属，第一金属层的层数比第二金属层的层数多一；在DBC衬底的芯片焊接层的第二区域上印刷纳米金属焊膏，纳米金属焊膏的印刷厚度与第一区域的金属层总厚度相同；第二区域位于第一区域的外围；将芯片覆盖于连接层上，得到待烧结的组件；采用低于第二金属的熔点的预烧结温度对待烧结的组件进行预烧结，在高于第二金属层的熔点的烧结温度下对预烧结后的待烧结的组件进行烧结，从而实现芯片与衬底的连接。

本发明授权一种芯片连结的工艺方法和一种芯片模组在权利要求书中公布了：1.一种芯片连结的工艺方法，其特征在于，所述方法包括： 在承载所述芯片的陶瓷覆铜板DBC衬底的芯片焊接层的第一区域上逐层生长第一金属层和第二金属层，第一金属层与第二金属层组成混合金属层；所述第一金属层与第二金属层组成的混合金属层是能够进行瞬态液相烧结的金属组合物，所述第一金属层为熔点高于800℃的高熔点金属，第二金属层为熔点低于250℃的低熔点金属，所述第一金属层的层数比所述第二金属层的层数多一； 在所述DBC衬底的芯片焊接层的第二区域上印刷纳米金属焊膏，纳米金属焊膏的印刷厚度与第一区域的混合金属层的总厚度相同；所述第二区域位于所述第一区域的外围，所述纳米金属焊膏层和所述混合金属层共同构成连接层； 将所述芯片覆盖于所述连接层上，得到待烧结的组件，所述连接层位于所述芯片和所述DBC衬底之间； 预烧结阶段，采用预烧结温度对所述待烧结的组件进行预烧结，预烧结温度低于第二金属的熔点，所述预烧结温度的范围为130-180℃； 烧结阶段，采用高于所述第二金属层的熔点的烧结温度对预烧结后的待烧结的组件进行烧结，所述烧结温度的范围为200-280℃。

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