有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料(山东)有限公司贾倩获国家专利权
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龙图腾网获悉有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料(山东)有限公司申请的专利一种高纯高均匀低氧钼硅合金靶材及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117758088B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311745746.0,技术领域涉及:C22C1/02;该发明授权一种高纯高均匀低氧钼硅合金靶材及其制备方法是由贾倩;王兴权;范宁;李利利;丁照崇;蔺心宇;何金江;罗俊锋设计研发完成,并于2023-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高纯高均匀低氧钼硅合金靶材及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域,公开了一种高纯高均匀低氧钼硅合金靶材及其制备方法。所述钼硅合金靶材,以钼块和硅块为原料,先通过熔炼的方式获得高纯度无偏析低氧的Mo3Si合金铸锭,经酸洗后使用无坩埚雾化制粉的方式,筛分制备高纯低氧的球形Mo3Si合金粉末。最后与Mo粉进行混合进行真空热压烧结,获得Si含量≤25wt%,尺寸≥300mm,纯度≥4N,致密度≥99.5%,平均晶粒尺寸≤20μm,整体靶面Si含量成分波动≤±0.5wt%,氧含量≤100ppm的高纯钼硅合金靶材。
本发明授权一种高纯高均匀低氧钼硅合金靶材及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种高纯高均匀低氧钼硅合金靶材的制备方法,其步骤如下: 1备料:按高纯钼Mo及高纯硅Si的原子比Mo:Si=3:1进行配料; 其中,高纯Mo的纯度3N5,氧含量100ppm; 高纯Si的纯度6N,氧含量50ppm; 2将配比后的高纯Mo及高纯Si进行熔炼后,浇注得到Mo3Si合金铸锭;所述步骤2中,熔炼的温度为2400-2500℃; 所述步骤2中,熔炼的次数为2~5次; 所述步骤2中,熔炼过程中采用惰性气体作为保护气; 3对Mo3Si合金铸锭进行酸洗,去除铸锭表面氧化皮,获得Mo3Si合金制粉棒; 4Mo3Si合金制粉棒在无坩埚制粉炉内进行制粉,获得Mo3Si合金粉末;所述步骤4中,制粉气压为2-3MPa; 5将Mo3Si合金粉末与形貌为球形的Mo粉放入混粉罐内进行混粉,获得MoSi合金粉末; 6将MoSi合金粉末进行真空热压烧结得到钼硅合金靶材;所述钼硅合金靶材的纯度≥4N,Si含量≤25wt%,氧含量≤100ppm,余量为Mo。
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