青岛理工大学吴娜获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛理工大学申请的专利一种功率芯片摩擦辅助快速烧结方法及功率芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117690829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311706150.X，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种功率芯片摩擦辅助快速烧结方法及功率芯片是由吴娜;刘祥硕设计研发完成，并于2023-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率芯片摩擦辅助快速烧结方法及功率芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率芯片摩擦辅助快速烧结方法及功率芯片，涉及功率芯片制备技术领域。将基板放置在加热台上，并将中间层放置在基板上；中间层上放置待烧结的功率芯片，对功率芯片通过动态摩擦促进钎料等温凝固直到中间剩余较薄的Au‑Sn液相层，然后经过静压烧结完全实现等温凝固，获得全金属间化合物接头；对全金属间化合物接头进行保温和冷却。本发明旨在通过摩擦辅助促进高熔点金属向中间低熔点液相的溶解，缩短固液互扩散连接时间，同时不损伤芯片内部结构。
本发明授权一种功率芯片摩擦辅助快速烧结方法及功率芯片在权利要求书中公布了：1.一种功率芯片摩擦辅助快速烧结方法，其特征在于，包括以下步骤： 将基板放置在加热台上，并将中间层放置在基板上； 中间层上放置待烧结的功率芯片，对功率芯片通过动态摩擦促进钎料等温凝固直到中间剩余较薄的Au-Sn液相层，然后经过静压烧结完全实现等温凝固，获得全金属间化合物接头； 对全金属间化合物接头进行保温和冷却； 通过摩擦辅助快速烧结缩短固液互扩散连接时间，并且不损伤芯内部结构； 所述基板为镀金基板； 所述中间层为Au80Sn20焊片。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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