福州大学;清源创新实验室黄兴获国家专利权
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龙图腾网获悉福州大学;清源创新实验室申请的专利一种三元Sb2(Se1-xTex)3二维纳米片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117566694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311553813.9，技术领域涉及：C01B19/00；该发明授权一种三元Sb2(Se1-xTex)3二维纳米片的制备方法是由黄兴;杨顺航;李倩设计研发完成，并于2023-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三元Sb2(Se1-xTex)3二维纳米片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三元Sb2Se1‑xTex3二维纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明利用化学气相沉积法，以碲化锑粉末和单质硒粉作为蒸发源，氩气作为沉积反应气氛，通过调控生长源的比例、位置以及反应温度，得到了成分可调、高质量的Sb2Se1‑xTex3二维纳米片。本方法工艺简单，对设备要求低，制备出的Sb2Se1‑xTex3二维纳米片成分可调，在纳米光电器件研究领域具有较高研究价值和应用前景。
本发明授权一种三元Sb2(Se1-xTex)3二维纳米片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三元Sb2Se1-xTex3二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 1用石英舟盛放单质硒粉末置于加热中心的上游作为第一蒸发源，用另一石英舟盛放碲化锑粉末置于水平管式炉的加热中心处作为第二蒸发源，将衬底置于管式炉加热中心下游；第一蒸发源位于石英管上游，与加热中心的距离为285-300mm，所述的衬底位于石英管下游，与加热中心的距离为190-235mm；所述单质硒粉末与碲化锑的质量之比为1:5-1:2；所述加热中心的温度为510-530℃，反应时间为25min； 2将氢气与氩气作为材料反应生长的气氛通入进行反应的石英管内，并调整流速，设定加热温度与时间，开启管式炉，使石英管内进行化学气相沉积反应，待管式炉程序结束之后取出衬底，衬底表面即是生长的三元Sb2Se1-xTex3二维纳米片； 其中x为非金属元素中Te的摩尔分数，1-x为非金属元素中Te的摩尔分数，0x1，其中纳米片的平均尺寸＞10μm。
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