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龙图腾网获悉无锡市华辰芯光半导体科技有限公司申请的专利一种MOCVD反应单元及MOCVD设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117418219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311395675.6，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权一种MOCVD反应单元及MOCVD设备是由余小明设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOCVD反应单元及MOCVD设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOCVD反应单元及MOCVD设备，包括：基座和反应壳体；其中，基座的一侧开设有容置腔，容置腔适于容纳晶圆；反应壳体设置在基座设置有容置腔的一侧，反应壳体与基座靠近反应壳体的一侧面围合成一反应腔，容置腔与反应腔相连通；反应壳体的两端分别设置有进气口和出气口，以用于供待反应气体进入和排出反应腔；晶圆表面适于与反应腔内的待反应气体接触，晶圆竖直设置在容置腔内，以使得没有附着到晶圆上的颗粒产物可在重力的作用下滑落，防止积存在晶圆上。此结构中生成的金属颗粒没有附着到晶圆上时，会朝向下方掉落，而不会堆积在晶圆上，从而保证晶圆表面的清洁度，保证了后续的反应速率和产品质量。

本发明授权一种MOCVD反应单元及MOCVD设备在权利要求书中公布了：1.一种MOCVD反应单元，其特征在于，包括： 基座1，所述基座1内开设有容置腔，所述容置腔适于容纳晶圆； 反应壳体2，所述反应壳体2设置在所述基座1设置有容置腔的一侧，所述反应壳体2与所述基座1靠近所述反应壳体2的一侧面围合成一反应腔，所述容置腔与所述反应腔相连通；所述反应壳体2的两端分别设置有进气口和出气口，以用于供待反应气体进入和排出所述反应腔； 其中，所述晶圆表面适于与所述反应腔内的待反应气体接触，所述晶圆竖直设置在所述容置腔内，以使得没有附着到晶圆上的颗粒产物可在重力的作用下滑落，防止积存在晶圆上； 所述MOCVD反应单元还包括气体输送结构4，所述气体输送结构4包括： 进气组件41，所述进气组件41设置在所述反应腔的顶端，所述进气组件41包括上均开设有若干个进气通道412，所述进气通道412的出气端与所述进气口对应且连通设置，所述进气通道412的进气端适于与进气装置相连通，以使待反应气体自所述进气装置流经进气通道412和所述进气口并进入到所述反应腔内； 出气组件42，所述出气组件42设置在所述反应腔的底端，所述出气组件42上开设有若干个出气通道422，所述出气通道422进气端与所述出气口对应设置，所述出气通道422的出气端适于与外界连通以排出所述反应腔内部的气体； 所述进气组件41包括若干层进气板411，若干层所述进气板411层叠设置，所述进气通道412沿着所述进气板411的长度方向呈单排间隔开设在所述进气板411上； 其中，不同所述进气板411上的进气通道412分别通入不同族系的气体， 和或不同所述进气板411上的进气通道412通入相同的气体； 所述出气组件42包括： 出气组件主体421，所述出气组件主体421设置在所述反应壳体2远离所述进气板411的一侧； 第一出气通道4221，所述第一出气通道4221开设在所述出气组件主体421的顶部，所述第一出气通道4221设置有若干个，所述第一出气通道4221的与所述出气口一一对应设置，所述第一出气通道4221的进气端与所述出气口相连通； 第二出气通道4222，所述第二出气通道4222设置在所述出气组件主体421的底部，所述第二出气通道4222远离所述反应壳体2的一侧适于与外界连通，若干个所述第一出气通道4221的出气端均与所述第二出气通道4222的进气端相连，以使得反应腔内排出的气体经若干个所述第一出气通道4221向下移动并汇合至所述第二出气通道4222后再排出。

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