湖北江城实验室夏凯睿获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北江城实验室申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117316763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311175038.8，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由夏凯睿;谢冬;汪松;任小宁设计研发完成，并于2023-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一图案化掩膜层，以第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀衬底，以形成第一沟槽，衬底未被刻蚀的区域构成凸起结构；在衬底上形成第二图案化掩膜层，第二图案化掩膜层至少覆盖凸起结构的侧壁和上表面，第二图案化掩膜层上形成有开口，开口暴露第一沟槽的部分底面；以第二图案化掩膜层为掩膜，从开口刻蚀衬底，以在第一沟槽的下方形成第二沟槽。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上形成第一图案化掩膜层，以所述第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述衬底，以形成第一沟槽，所述衬底未被刻蚀的区域构成凸起结构； 刻蚀所述衬底，在所述凸起结构上形成至少一个第三沟槽，所述第三沟槽从所述凸起结构的上表面延伸至所述凸起结构的内部，所述第三沟槽的深度小于等于所述第一沟槽的深度； 在所述衬底上形成第二图案化掩膜层，所述第二图案化掩膜层至少覆盖所述凸起结构的侧壁和上表面，并填充所述第三沟槽，所述第二图案化掩膜层上形成有开口，所述开口暴露所述第一沟槽的部分底面； 以所述第二图案化掩膜层为掩膜，从所述开口刻蚀所述衬底，以在所述第一沟槽的下方形成第二沟槽。
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