豪威科技股份有限公司崔雲获国家专利权
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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利高动态范围CMOS图像传感器像素及成像系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117294969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211656052.5，技术领域涉及：H04N25/779；该发明授权高动态范围CMOS图像传感器像素及成像系统是由崔雲设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本高动态范围CMOS图像传感器像素及成像系统在说明书摘要公布了：本公开涉及具有减少金属‑绝缘体‑金属横向溢出集成电容器延迟的高动态范围CMOS图像传感器像素。一种像素电路包含经配置以响应于入射光而光生图像电荷的光电二极管。转移晶体管经配置以将所述图像电荷从所述光电二极管转移到浮动扩散区。复位晶体管耦合于复位电压源与所述浮动扩散区之间。横向溢出集成电容器LOFIC包含安置于第一金属电极与第二金属电极之间的绝缘区。所述第一金属电极耦合到偏置电压源，所述第二金属电极选择性耦合到所述浮动扩散区，且由所述光电二极管在空闲周期期间光生的过量图像电荷经配置以通过所述转移晶体管从所述光电二极管溢出到所述浮动扩散区中。
本发明授权高动态范围CMOS图像传感器像素及成像系统在权利要求书中公布了：1.一种像素电路，其包括： 光电二极管，其经配置以在响应于入射光期间光生图像电荷； 浮动扩散区，其经耦合以接收所述图像电荷； 转移晶体管，其耦合于所述光电二极管与所述浮动扩散区之间，其中所述转移晶体管经配置以将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散区； 复位晶体管，其耦合于复位电压源与所述浮动扩散区之间，其中所述复位晶体管经配置以响应于复位控制信号而切换； 横向溢出集成电容器LOFIC，其包含安置于第一金属电极与第二金属电极之间的绝缘区，其中所述第一金属电极耦合到偏置电压源，其中所述第二金属电极选择性耦合到所述浮动扩散区，其中由所述光电二极管在空闲周期期间光生的过量图像电荷经配置以通过所述转移晶体管从所述光电二极管溢出到所述浮动扩散区中；以及 溢出晶体管，其耦合于所述光电二极管与所述第二金属电极之间，其中由所述光电二极管在积分周期期间光生的过量图像电荷经配置以从所述光电二极管通过所述溢出晶体管溢出到所述LOFIC中，而非通过所述转移晶体管溢出到所述浮动扩散区中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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