武汉光迅科技股份有限公司霍攀杰获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光迅科技股份有限公司申请的专利光电二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117293214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210686153.0，技术领域涉及：H10F30/22；该发明授权光电二极管及其制造方法是由霍攀杰;徐泽驰;胡艳;岳爱文设计研发完成，并于2022-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供光电二极管及其制造方法，所述光电二极管包括：衬底；N型电极接触层，位于所述衬底的第一表面上；吸收层、帽层依次层叠于所述衬底上的第二表面上；所述第一表面和所述第二表面互为相反面；第一扩散区和第二扩散区，均位于所述帽层中；第一半导体接触层和第一P型电极接触层，均部分覆盖所述第一扩散区的表面；第一P型电极接触层包覆所述第一半导体接触层；第二半导体接触层和第二P型电极接触层，均部分覆盖所述第二扩散区的表面；第二P型电极接触层包覆所述第二半导体接触层；扩散阻挡层，位于所述帽层上，与第一P型电极接触层一起未完全覆盖所述第一扩散区表面，与所述第二P型电极接触层一起完全覆盖所述第二扩散区表面。
本发明授权光电二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电二极管，其特征在于，包括： 衬底； N型电极接触层，位于所述衬底的第一表面上； 吸收层、帽层依次层叠于所述衬底上的第二表面上；所述第一表面和所述第二表面互为相反面； 第一扩散区和第二扩散区，均位于所述帽层中，所述第二扩散区用于进行电荷泄放； 第一半导体接触层和第一P型电极接触层，均部分覆盖所述第一扩散区的表面；第一P型电极接触层包覆所述第一半导体接触层； 第二半导体接触层和第二P型电极接触层，均部分覆盖所述第二扩散区的表面；第二P型电极接触层包覆所述第二半导体接触层； 扩散阻挡层，位于所述帽层上，与第一P型电极接触层一起未完全覆盖所述第一扩散区表面，与所述第二P型电极接触层一起完全覆盖所述第二扩散区表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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