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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利基于压电光电子学的紫外微尺寸发光二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117156951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210554201.0，技术领域涉及：H10N39/00；该发明授权基于压电光电子学的紫外微尺寸发光二极管及制备方法是由魏同波;陈仁锋;王军喜设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于压电光电子学的紫外微尺寸发光二极管及制备方法在说明书摘要公布了：一种基于压电光电子学的紫外微发光二极管及制备方法，该紫外微发光二极管包括：衬底层状结构，包括：AlN层，形成于衬底上；AlGaN超晶格层，形成于AlN层上；以及N型AlGaN层，形成于AlGaN超晶格层上；以及多条间隔设置的微米线结构，每条微米线结构包括：AlGaN多量子阱微米线层，形成于N型AlGaN层上；P型AlGaN微米线层，形成于AlGaN多量子阱微米线层上；以及P型GaN微米线层，形成于P型AlGaN微米线层上；其中，通过施加应力，使得衬底向多条间隔设置的微米线结构方向凸出并形成弧形结构，进而使得层状结构和微米线结构产生弯曲应变，引入压电极化场。本发明的以及压电光电子学调制的紫外光源微发光二极管提高了紫外微尺寸发光二极管整体的发光特性。

本发明授权基于压电光电子学的紫外微尺寸发光二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于压电光电子学的紫外微尺寸发光二极管，包括： 衬底； 层状结构，包括： AlN层，形成于所述衬底上； AlGaN超晶格层，形成于所述AlN层上；以及 N型AlGaN层，形成于所述AlGaN超晶格层上；以及 多条间隔设置的微米线结构，每条所述微米线结构包括： AlGaN多量子阱微米线层，形成于所述N型AlGaN层上； P型AlGaN微米线层，形成于所述AlGaN多量子阱微米线层上；以及 P型GaN微米线层，形成于所述P型AlGaN微米线层上； 其中，通过施加应力，使得所述衬底向多条间隔设置的所述微米线结构方向凸出并形成弧形结构，进而使得所述层状结构和所述微米线结构产生弯曲应变； 其中，所述N型AlGaN层适用于提供电子，所述P型AlGaN微米线和所述P型GaN微米线层适用于提供空穴，所述电子和所述空穴在所述AlGaN多量子阱微米线层复合，进而发光； 所述弯曲应变的应变量小于1％； 将沿着所述微米线结构延伸的方向作为第一方向，在所述第一方向上，所述微米线结构长度小于所述层状结构的长度，并且所述微米线结构的一端与所述N型AlGaN层的第一端齐平。

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