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龙图腾网获悉花王株式会社申请的专利半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117120369B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280027727.1，技术领域涉及：C01B32/172；该发明授权半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法是由浅井光夫设计研发完成，并于2022-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法在说明书摘要公布了：在一个方式中，本发明涉及一种半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法，该制造方法包括对含有包含半导体型SWCNT和金属型SWCNT的SWCNT、水性介质以及聚合物的被分离SWCNT分散液进行离心分离后、采集包含所述半导体型SWCNT的上清液的工序，所述聚合物为包含来自于下述的式1所示的单体的结构单元A和来自于下述的式3所示的单体的结构单元B的共聚物。CH2＝CR0‑COOM1；CH2＝CR5‑COO‑EOp‑POq‑R63。

本发明授权半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体型单层碳纳米管分散液的制造方法， 所述制造方法包括以下工序： 制备被分离单层碳纳米管分散液的工序，所述被分离单层碳纳米管分散液包含单层碳纳米管、水性介质和聚合物，所述单层碳纳米管包含半导体型单层碳纳米管和金属型单层碳纳米管；以及 在对所述被分离单层碳纳米管分散液进行离心分离后、从经离心分离的所述被分离单层碳纳米管分散液中采集包含所述半导体型单层碳纳米管的上清液的工序， 所述聚合物为包含来自于下述的式1所示的单体的结构单元A和来自于下述的式3所示的单体的结构单元B的共聚物，所述共聚物的全部结构单元中的所述结构单元B的含量为70质量％以上且小于100质量％， CH2＝CR0-COOM1 式1中，R0表示氢原子或甲基；M表示氢原子、金属原子以及下述式2所示的结构的基团的任一者； 式2中，R1、R2、R3、R4各自独立地表示氢原子、或任选具有羟基的碳数为1以上且2以下的烷基； CH2＝CR5-COO-EOp-POq-R63 式3中，R5表示氢原子或甲基；R6表示氢原子、或碳数为1以上且5以下的烃基，EO表示亚乙基氧基，PO表示亚丙基氧基，p表示亚乙基氧基的平均加成摩尔数，为1以上且120以下，q表示亚丙基氧基的平均加成摩尔数，为0以上且50以下。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人花王株式会社，其通讯地址为：日本国东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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