株式会社爱发科北沢僚也获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社爱发科申请的专利磁控溅射装置用阴极单元及磁控溅射装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117044403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180090208.5，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权磁控溅射装置用阴极单元及磁控溅射装置是由北沢僚也;阪上弘敏;矶部辰德设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁控溅射装置用阴极单元及磁控溅射装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种磁控溅射装置SM用阴极单元CU及磁控溅射装置，其不会导致等离子体的局部消失等，可使与溅射的进行相伴的靶侵蚀区域大致均匀，可提高靶的利用效率。设置在真空室1内配置的靶41～44的背对溅射面一侧上的磁铁单元51～54改变靶侧极性地具备线状中央磁铁52和包围中央磁铁周围的周边磁铁53，所述周边磁铁具有直线部53a，53b和跨接两直线部的两自由端的跨接部53c，以通过磁场的垂直成分为零的位置的线沿中央磁铁的长边方向延伸并闭合为跑道状的方式产生从溅射面泄漏的磁场Mf，在维持周边磁铁的姿态的状态下，根据中央磁铁的靶侧极性，使中央磁铁的两端部分分别移位到周边磁铁的彼此不同的直线部侧。
本发明授权磁控溅射装置用阴极单元及磁控溅射装置在权利要求书中公布了：1.一种磁控溅射装置用阴极单元，具备磁铁单元，其设置在真空室内配置的靶的背对溅射面的一侧上，磁铁单元改变靶侧极性地具备线状配置的中央磁铁和包围该中央磁铁周围的周边磁铁，所述周边磁铁具有在该中央磁铁两侧等间隔且平行延伸的直线部和分别跨接两直线部的两自由端的跨接部，以通过磁场垂直成分为零的位置的线沿中央磁铁的长边方向延伸并闭合为跑道状的方式产生从溅射面泄漏的磁场，其特征在于： 在维持所述周边磁铁姿态的状态下，根据所述中央磁铁的靶侧极性，使该中央磁铁的两端部分分别移位到周边磁铁的彼此不同的直线部中的等离子体中电子被电磁场弯曲而改变朝向后的直线部侧，如此将移位的中央磁铁两端部的长度设置为两直线部分之间距离的一倍以上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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