华为技术有限公司玛地娜获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利硅基液晶器件、波长选择开关以及光分插复用器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117031809B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310706091.X，技术领域涉及：G02F1/1335；该发明授权硅基液晶器件、波长选择开关以及光分插复用器是由玛地娜;李健雄;宗良佳设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅基液晶器件、波长选择开关以及光分插复用器在说明书摘要公布了：本申请的实施例提供了一种硅基液晶器件、波长选择开关以及光分插复用器，涉及光器件技术领域，该硅基液晶器件出射的光信号的插损波动较小。该硅基液晶器件包括：硅基板、设置于硅基板上的液晶层、以及设置于硅基板与液晶层之间的至少一层超表面层；超表面层包括阵列分布的多个晶胞；在第一方向上，连续分布的多组晶胞中的一组晶胞的中心位置在第一方向上非周期性分布，第一方向为超表面层的相位梯度方向；和或，一组晶胞的中心位置在第二方向上非周期性分布，第二方向在超表面层上垂直于相位梯度方向。
本发明授权硅基液晶器件、波长选择开关以及光分插复用器在权利要求书中公布了：1.一种硅基液晶器件，其特征在于，包括：硅基板、设置于所述硅基板上的液晶层、以及设置于所述硅基板与所述液晶层之间的至少一层超表面层； 所述超表面层包括阵列分布的多个晶胞； 在第一方向上，连续分布的多组晶胞中，一组晶胞中每个晶胞的中心位置在所述第一方向上非周期性分布，所述第一方向为所述超表面层的相位梯度方向，使得所述超表面层的+1级衍射光的衍射效率大于第一阈值； 和或， 所述一组晶胞中每个晶胞的中心位置在第二方向上非周期性分布，在所述第二方向上，所述一组晶胞中的至少一个晶胞与平行于所述第一方向的基准线之间的位移量大于0，使得所述超表面层的+1级衍射光的衍射效率大于第二阈值；所述第二方向在所述超表面层上垂直于所述相位梯度方向； 其中，所述每一组晶胞在所述第一方向上构成0至2π变化的相位面，所述每一组晶胞中包括偏转方向突变且相邻的两个晶胞。
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