国家电投集团科学技术研究院有限公司李盈盈获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉国家电投集团科学技术研究院有限公司申请的专利模拟辐照对碳化硅裂纹扩展过程影响的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116929917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210374979.3，技术领域涉及：G01N3/08；该发明授权模拟辐照对碳化硅裂纹扩展过程影响的方法是由李盈盈;涂睿;孔淑妍;严帅;边卓伟;鲁仰辉;白亚奎;孙晨;曹鑫源设计研发完成，并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本模拟辐照对碳化硅裂纹扩展过程影响的方法在说明书摘要公布了：本申请提出一种模拟辐照对碳化硅裂纹扩展过程影响的方法，包括对碳化硅超晶胞进行NPT弛豫；随机选取Si原子为初级离位原子，给予其10keV的动能，让其与周围原子发生碰撞，被碰撞原子继续与周围原子发生级联碰撞过程；重复300次级联碰撞过程，形成级联叠加后的辐照结构；设计两种裂纹形式，对于每种裂纹首先对体系进行NPT的驰豫，随后在垂直与裂纹所在的平面方向施加单轴拉伸的应变。采用基于分子动力学方法的LAMMPS软件模拟了辐照对碳化硅裂纹扩展过程的影响，发现碳化硅受到辐照后其断裂形式仍为脆性断裂。
本发明授权模拟辐照对碳化硅裂纹扩展过程影响的方法在权利要求书中公布了：1.一种模拟辐照对碳化硅裂纹扩展过程影响的方法，其特征在于，包括： 对碳化硅超晶胞进行NPT弛豫； 随机选取Si原子为初级离位原子，给予初级离位原子10keV的动能，让其与周围原子发生碰撞，被碰撞原子继续与周围原子发生碰撞，此为级联碰撞过程； 重复300次级联碰撞过程，形成级联叠加后的辐照结构； 设计[001]010和[11-2]111两种裂纹形式，对于每种裂纹首先对体系进行NPT的驰豫，随后在垂直于裂纹所在的平面方向施加单轴拉伸的应变。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国家电投集团科学技术研究院有限公司，其通讯地址为：102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励