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龙图腾网获悉安徽奥飞声学科技有限公司申请的专利MEMS结构及其制备方法，MEMS压电麦克风获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116828376B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310986307.2，技术领域涉及：H04R19/04；该发明授权MEMS结构及其制备方法，MEMS压电麦克风是由李冠华;周旭;刘端设计研发完成，并于2023-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS结构及其制备方法，MEMS压电麦克风在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MEMS结构及其制备方法，MEMS压电麦克风。该制备方法包括：在衬底正面依次沉积下电极层、压电层、上电极层；自上而下刻蚀外围的上电极层和上层压电层，保留内侧的上电极层和上层压电层；在衬底背面进行深硅刻蚀直至下电极层，形成衬底背腔；其中，刻蚀后的压电层的纵剖面呈“凸”字形状，压电层的中性面与几何对称面不重合，中性面为：压电层内的应力应变为0的面，几何对称面为：过压电层厚度方向的中点沿水平方向延伸的面。本发明中，中性面与原几何对称面不重合，打破了厚度方向上的对称性，大幅提升了结构的灵敏度，并且降低了调整工艺参数来控制结构中残余应力的难度，也提升了量化残余应力的准确性。

本发明授权MEMS结构及其制备方法，MEMS压电麦克风在权利要求书中公布了：1.一种MEMS结构的制备方法，其特征在于，包括： 步骤A，在衬底正面依次沉积下电极层、压电层、上电极层，所述压电层的厚度为t，0.1μm≤t≤10μm； 步骤B，自上而下刻蚀外围的上电极层和上层压电层，保留内侧的上电极层和上层压电层，所述上层压电层的厚度为t1，0.4t≤t1≤0.6t； 步骤D，在衬底背面进行深硅刻蚀直至下电极层，形成衬底背腔； 其中，所述步骤D中，所述衬底背腔的横截面呈半径为R的第一圆形；所述步骤B中，刻蚀后保留的上电极层和上层压电层的横截面呈与第一圆形同心的，半径为R1的第二圆形；其中，所述第二圆形的水平面投影落入所述第一圆形的水平面投影之内，0.8R≤R1≤0.9R； 其中，刻蚀后的压电层的纵剖面呈“凸”字形状，所述压电层的中性面与原几何对称面不重合，所述中性面为：压电层内的应力应变为0的面，所述原几何对称面为：过压电层厚度方向的中点沿水平方向延伸的面。

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