华为技术有限公司雷电获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116825722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210284461.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其制备方法、电子设备是由雷电;刘熹;王洪娟;许耀文设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于半导体器件在平坦化工艺后表面高低不平的问题，以提高半导体器件的良率。半导体器件的制备方法包括，在衬底上形成多条鳍；形成位于第一区域的多条第一牺牲栅和位于第二区域的多条第二牺牲栅；形成层间介质层。平坦化所述层间介质层，以暴露所述多条第一牺牲栅和所述多条第二牺牲栅远离所述衬底的表面。形成隔离结构，所述隔离结构将所述鳍分割成位于所述多条第一牺牲栅下方的第一鳍和位于所述多条第二牺牲栅下方的第二鳍，所述隔离结构围绕多条所述第一鳍和所述多条第一牺牲栅。上述半导体器件应用于电子器件中，以提高电子器件的良率。
本发明授权半导体器件及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在衬底上形成多条鳍，所述鳍沿平行于所述衬底的第一方向延伸； 形成位于第一区域的多条第一牺牲栅和位于第二区域的多条第二牺牲栅，所述第一牺牲栅和所述第二牺牲栅沿平行于所述衬底的第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相交叉；所述多条第一牺牲栅和所述多条第二牺牲栅跨设在所述多条鳍上，且所述第二区域在所述第一区域的周围； 形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述多条第一牺牲栅和所述多条第二牺牲栅； 平坦化所述层间介质层，以暴露所述多条第一牺牲栅和所述多条第二牺牲栅远离所述衬底的表面； 形成隔离结构，所述隔离结构将所述鳍分割成位于所述多条第一牺牲栅下方的第一鳍和位于所述多条第二牺牲栅下方的第二鳍，所述隔离结构围绕多条所述第一鳍和所述多条第一牺牲栅。
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