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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法及二维材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116752117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310635975.0，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法及二维材料是由蔡端俊;杨谦益;沈鹏;余路成;许飞雅;陈小红设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法及二维材料在说明书摘要公布了：本发明涉及二维材料领域，特别涉及一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法，步骤如下，在气态状态下营造出第一本征主原子过饱和环境，同时使第二本征主原子处于非饱和状态；在气流通路中引入包含垂直pz价电子轨道的掺杂源，使掺杂源取代所述非饱和的第二本征主原子，与所述饱和的第一本征主原子的pz轨道发生强烈耦合杂化，激活所述饱和的第一本征主原子的pz轨道在垂直方向的延伸，形成层间垂直电输运通道。本发明工艺简单，能与当前的微纳加工技术形成良好的兼容性，并且产量较高，薄膜质量优异，垂直导电通道可在室温下稳定存在，二次移植使用性较强，可拓展二维材料、特别是二维半导体材料在新型垂直结构电子器件中的应用。

本发明授权一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法及二维材料在权利要求书中公布了：1.一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法，其特征在于，步骤如下： 在气态状态下营造出第一本征主原子过饱和环境，同时使第二本征主原子处于非饱和状态； 在气流通路中引入包含垂直pz价电子轨道的掺杂源，使掺杂源取代所述非饱和的第二本征主原子，与所述饱和的第一本征主原子的pz轨道发生强烈耦合杂化，激活所述饱和的第一本征主原子的pz轨道在垂直方向的延伸，形成层间垂直电输运通道； 所述第一本征主原子过饱和环境营造过程为： 设置化学气相沉积系统，包括外管和具有独立气路的小管;所述小管的出口端架设单口管，所述小管的出口端延伸至所述单口管内部，所述单口管的内径大于所述小管的外径，所述小管内部架设石英棒，所述石英棒的出口端延伸至所述单口管底部；所述小管的出口端、石英棒的出口端、单口管的入口端形成反应室，所述反应室内置有生长衬底； 在所述石英棒的出口端表面涂覆含有所述二维材料第一本征主原子的预备溶液；待生长时，将所述石英棒推向单口管内部，即营造出本征主原子过饱和环境。

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