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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种高选择性的多零点毫米波带通滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116706482B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310925044.4，技术领域涉及：H01P1/203；该发明授权一种高选择性的多零点毫米波带通滤波器是由葛则业;游彬;刘军设计研发完成，并于2023-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高选择性的多零点毫米波带通滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开一种高选择性的多零点毫米波带通滤波器。电磁波通过输入馈线传递到谐振器1，再通过混合耦合传递到谐振器2且通过磁耦合传递到谐振器4。电磁波从谐振器2通过第一连接金属传递到谐振器3此时的耦合为电耦合，电磁波从谐振器3通过混合耦合传递到谐振器4从而传递到输出馈线。由于在谐振器2、谐振器3之间引入了电耦合以及在谐振器1、谐振器2和谐振器3、谐振器4之间引入了混合耦合导致了多零点的产生。本发明基于集总分布结合结构以及IPD技术，引入了MIM电容实现了滤波器尺寸的小型化。

本发明授权一种高选择性的多零点毫米波带通滤波器在权利要求书中公布了：1.一种高选择性的多零点毫米波带通滤波器，从上至下依次包括第一金属层M81、第一介质层P82、第二金属层M73、第二介质层P74、第三金属层M65、第三介质层P66、第四金属层M57、第四介质层P58、第五金属层M49、第五介质层P410、地层M311；其特征在于： 所述第一金属层M81包括第一上层金属1-1、第二上层金属1-2、第一连接金属1-3、输入馈线12、输出馈线13、第一上层耦合线1-4、第二上层耦合线1-5、第一接地板1-6；所述第一上层金属1-1通过第一连接金属1-3连接所述第二上层金属1-2；所述第一上层耦合线1-4与所述第一上层金属1-1的端部连接；所述第二上层耦合线1-5与所述第二上层金属1-2的端部连接； 所述第一上层金属1-1与所述第二上层金属1-2为轴对称结构； 所述第二金属层M73包括第一下层金属3-1、第二下层金属3-2、第一下层耦合线3-3、第二下层耦合线3-4、输入馈线贴片3-5、输出馈线贴片3-6、第二接地板3-7；所述第一下层耦合线3-3与所述第一下层金属3-1的端部连接；所述第二下层金属3-2与所述第二下层金属3-2的端部连接； 所述第一下层金属3-1与所述第二下层金属3-2为轴对称结构，且两者间留有间隙；所述第一下层金属3-1与所述第二上层金属1-2结构相同； 所述第三金属层M65包括第三上层金属5-1、第四上层金属5-2、第三接地板5-3、第三上层耦合线5-4、第四上层耦合线5-5；所述第三上层耦合线5-4与所述第三上层金属5-1的端部连接；所述第四上层耦合线5-5与所述第四上层金属5-2的端部连接； 所述第三上层金属5-1与所述第四上层金属5-2为轴对称结构，且两者间留有间隙；所述第三上层金属5-1为所述第一上层金属1-1顺时针旋转180°后的结构； 所述第四金属层M57包括第三下层金属7-1、第四下层金属7-2、第四接地板7-3、第三下层耦合线7-4、第四下层耦合线7-5；所述第三下层耦合线7-4与所述第三下层金属7-1的端部连接；所述第四下层耦合线7-5与所述第四下层金属7-2的端部连接； 所述第三下层金属7-1与所述第四下层金属7-2为轴对称结构，且两者间留有间隙；所述第三下层金属7-1与所述第四上层金属5-2的结构相同； 所述第五金属层M49包括第五接地板9-1； 由第一上层金属1-1、第一下层金属3-1、以及贯穿第一介质层P82的第一金属化通孔14构成第二集总分布结合谐振器；由第二上层金属1-2、第二下层金属3-2、以及贯穿第一介质层P82的第二金属化通孔15构成第三集总分布结合谐振器；所述第一连接金属1-3用于第二集总分布结合谐振器与第三集总分布结合谐振器的连接； 由第三上层金属5-1、第三下层金属7-1、以及贯穿第三介质层P66的第三金属化通孔16构成第一集总分布结合谐振器；由第四上层金属5-2、第四下层金属7-2贯穿第三介质层P66的第四金属化通孔17构成第四集总分布结合谐振器； 第一上层耦合线1-4与第三下层耦合线7-4间耦合连接，第一下层耦合线3-3与第三上层耦合线5-4间耦合连接，用于实现第一集总分布结合谐振器、第二集总分布结合谐振器间的耦合； 第二上层耦合线1-5与第四下层耦合线7-5间耦合连接，第二下层耦合线3-4与第四上层耦合线5-5间耦合连接，用于实现第三集总分布结合谐振器、第四集总分布结合谐振器间的耦合。

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