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龙图腾网获悉SK恩普士有限公司申请的专利半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116601257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180083215.2，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法是由朴韩址;韩德洙;权璋国;洪承哲设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光用组合物的半导体器件的制造方法，具体地，涉及可用于抛光非晶质碳膜ACL，Amorphouscarbonlayer的抛光组合物，所述抛光组合物可以对非晶质碳膜表现出高抛光速率，并且在45℃以上不出现抛光速率降低的问题，长时间储存稳定性增加，并能防止抛光工艺中产生的碳残留物Carbonresidue吸附在半导体基板上，还能防止抛光垫的污染。此外，本发明还能够提供一种适用半导体工艺用抛光组合物的半导体器件的制造方法。

本发明授权半导体工艺用抛光组合物、抛光组合物的制备方法以及适用抛光组合物的半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺用抛光组合物，其中， 包含抛光颗粒、加速剂和稳定剂， 所述加速剂包含铈盐， 所述稳定剂是由下述化学式2或化学式3表示的化合物， 所述半导体工艺用抛光组合物的基于下述式1值小于38％： [化学式2] [化学式3] 其中，n为0至4的整数， R4选自由甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基、己基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的烯基、以及取代或未取代的碳原子数为2至10的炔基组成的组， R5选自由氢、取代或未取代的碳原子数为1至10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为2至10的烯基、以及取代或未取代的碳原子数为2至10的炔基组成的组， [式1] 其中，所述RR0是利用所述抛光组合物在如下的抛光条件下测定的抛光速率，所述RRf是将抛光组合物在45℃下储存10小时之后，在15℃至25℃冷却，然后在如下的抛光条件下测定的抛光速率， 对于所述抛光条件而言，温度条件是15℃至25℃，抛光头的旋转速度为87rpm，平板的旋转速度为93rpm，所述抛光组合物的注入速率为90mlmin，抛光时间为60秒，晶圆是厚度为2000埃、水平和垂直尺寸为4cm×4cm的非晶质碳膜晶圆，并利用小型抛光机进行抛光， 所述RR0和RRf是通过在所述抛光条件下测量抛光前后的非晶质碳膜的厚度来换算的抛光速率。

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