西安电子科技大学史琰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于超表面的辐射散射一体化的天线结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116598791B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310813781.5,技术领域涉及:H01Q15/00;该发明授权一种基于超表面的辐射散射一体化的天线结构是由史琰;侯军辉设计研发完成,并于2023-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于超表面的辐射散射一体化的天线结构在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于超表面的辐射散射一体化的天线结构,包括两层介质层和三层金属层的基本结构单元,介质层由自上而下分布的第一介质层和第二介质层构成;金属层自上而下分别为第一金属层的超表面散射和辐射层、第二金属层的铜柱层和直流偏置层、第三金属层的金属地面层;所述超表面散射和辐射层具有散射功能和辐射功能,铜柱层和直流偏置层给超表面提供电压差和激励;金属地面层作为整个天线的地板层;超表面是由n×n个基本结构单元复制平移构成。本发明能够让不同入射波照射下的RCS实现减缩的效果。所提出的数字超表面阵列的辐射和散射特性相互独立,能够分别灵活调控。
本发明授权一种基于超表面的辐射散射一体化的天线结构在权利要求书中公布了:1.一种基于超表面的辐射散射一体化的天线结构,其特征在于,所述超表面由n×n个基本结构单元复制平移构成,每个所述基本结构单元包括介质层和金属层; 所述介质层包括上方的第一介质层1和下方的第二介质层2; 所述金属层包括位于第一介质层1上表面的超表面散射和辐射层3;以及位于第二介质层2下表面的金属地面层6; 所述超表面散射和辐射层3具有散射功能和辐射功能,铜柱层4和直流偏置层5给超表面提供电压差和激励;金属地面层6作为整个天线的地板层; 所述铜柱层4包括五根铜柱,由铜柱一14、铜柱二15、铜柱三16、铜柱四17和铜柱五18构成,其中铜柱一14、铜柱二15穿过第一介质层1,铜柱三16、铜柱四17和铜柱五18同时穿过第一介质层1和第二介质层2; 所述直流偏置层5位于第二介质层2上表面;金属地面层6位于第二介质层2下表面; 超表面散射和辐射层3分为两部分,一部分为超表面散射部分3_1,另一部分为超表面辐射部分3_2,这两部分都位于第一介质层1上表面; 所述超表面散射部分3_1在超表面的x方向和y方向都有超表面结构,两个方向的超表面散射部分3_1沿第一介质层1中心呈90°旋转,超表面结构为两个内嵌PIN二极管的工字形金属条带,用于实现对x极化入射波和y极化入射波调控;超表面辐射部分3_2用于进行天线的辐射;超表面辐射部分3_2为方形结构,其边长的长和宽分别与第一介质层1的外边平行,两个方向的超表面散射部分3_1位于超表面辐射部分3_2对角线两侧对称设置; 所述超表面散射部分3_1由超表面结构一7和超表面结构二8构成,其中超表面结构一7通过逆时针旋转得到超表面结构二8,分别对x极化入射波和y极化入射波进行控制; 其中超表面结构一7由条形金属贴片一9、条形金属贴片二10、PIN二极管贴片11和连接线12构成;条形金属贴片一9位于超表面单元外侧,条形金属贴片二10位于超表面单元内侧,条形金属贴片一9和条形金属贴片二10之间对应位置分别设置有连接线12,两边的连接线12之间设置PIN二极管贴片11。
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