暨南大学朱文国获国家专利权
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龙图腾网获悉暨南大学申请的专利基于钽酸锂晶体的二维光束偏转装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116540468B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310411264.5，技术领域涉及：G02F1/29；该发明授权基于钽酸锂晶体的二维光束偏转装置及方法是由朱文国;梁信洲;陈慧锋;陈哲;余健辉;钟永春;郑华丹;唐洁媛设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于钽酸锂晶体的二维光束偏转装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种基于钽酸锂晶体的二维光束偏转装置及方法，装置包括：钽酸锂晶体，所述钽酸锂晶体包括光输入面、与光输入面相对的光输出面、第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第三表面以及与所述第三表面相对的第四表面；所述第一表面与所述第二表面形成有对应设置的第一维光束偏转区，所述第三表面与所述第四表面形成有对应设置的第二维光束偏转区。本发明具有易集成、高速率、体积小、多维度偏转等优点。
本发明授权基于钽酸锂晶体的二维光束偏转装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于钽酸锂晶体的二维光束偏转装置，其特征在于，包括： 钽酸锂晶体，所述钽酸锂晶体包括光输入面、与光输入面相对的光输出面、第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第三表面以及与所述第三表面相对的第四表面；所述第一表面与所述第二表面形成有对应设置的第一维光束偏转区，所述第三表面与所述第四表面形成有对应设置的第二维光束偏转区；其中： 所述第一维光束偏转区配置为在外加电场的作用下，基于电光效应使钽酸锂晶体折射率在该区域内发生变化，从而使光束偏转； 所述第二维光束偏转区在外加电场的作用下，基于类施特恩-格拉赫效应使钽酸锂晶体的主轴在该区域内发生旋转，且当满足准相位匹配条件时，使输出光发生偏转。
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