无锡华润上华科技有限公司卞铮获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利集成有淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344665B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111599112.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权集成有淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法是由卞铮;肖魁;赵爱峰;胡金节;杨涛设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成有淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成有淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法，所述方法包括：获取晶圆；图案化并刻蚀基的正面，形成淬灭电阻沟槽和隔离沟槽；隔离沟槽的宽度大于淬灭电阻沟槽的宽度；在淬灭电阻沟槽的内表面形成绝缘层；在基底正面淀积多晶硅，多晶硅填入淬灭电阻沟槽中并将其封口，填入隔离沟槽中且不将其封口；氧化隔离沟槽中的多晶硅；向所述隔离沟槽中填充遮光导电材料。本发明能够与CMOS工艺兼容。并且由于淬灭电阻沟槽可以与隔离沟槽共用一张光刻版，因此淬灭电阻的制造无需单独使用一张光刻版，降低了生产成本。
本发明授权集成有淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成有淬灭电阻的单光子雪崩二极管的制造方法，包括： 获取晶圆；所述晶圆包括基底和形成在基底中的雪崩光电二极管元胞； 图案化，并刻蚀所述基底的第一面，形成淬灭电阻沟槽和隔离沟槽；所述隔离沟槽的宽度大于所述淬灭电阻沟槽的宽度； 在所述淬灭电阻沟槽的内表面形成绝缘层； 在所述基底的第一面淀积多晶硅，多晶硅填入所述淬灭电阻沟槽中并将所述淬灭电阻沟槽封口，且多晶硅填入所述隔离沟槽中而不将所述隔离沟槽封口； 对所述隔离沟槽中的外露结构进行氧化处理； 向所述隔离沟槽中填充遮光导电材料； 其中，所述隔离沟槽位于所述雪崩光电二极管元胞和淬灭电阻沟槽的外侧，用于对所述雪崩光电二极管元胞和淬灭电阻进行隔离。
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