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龙图腾网获悉天津蓝天太阳科技有限公司申请的专利一种基于过冲回调的非线性渐变失配层的正向四结太阳电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310330266.1，技术领域涉及：H10F10/161；该发明授权一种基于过冲回调的非线性渐变失配层的正向四结太阳电池是由万荣华;张启明;高伟;张宝;高慧;张文涛;马长金;刘长喜设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于过冲回调的非线性渐变失配层的正向四结太阳电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于过冲回调的非线性渐变失配层的正向四结太阳电池，包括锗衬底，所述锗衬底的顶部从下至上依次为GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一遂穿结、AlcGa1‑c1‑bInbAsAldGa1‑d1‑bInbAsDBR、Ga1‑xInxAs电池、第二遂穿结、AlcGa1‑c1‑bInbAsAldGa1‑d1‑bInbAsDBR、Ga1‑eIneAs1‑mP1‑m电池、第三遂穿结、AlfGa1‑f1‑yInyP电池和帽层；其中，AlcGa1‑c1‑bInbAsAldGa1‑d1‑bInbAsDBR为非线性渐变失配层，初始层至目标渐变层In的组分b从下至上从0.01非线性渐变到x，非线性渐变失配层中每层In按照比例i过冲回调。可实现每层均调整或减缓失配应力，另外设计以DBR结构的过冲层时，可以减小该层材料设计中In的过冲范围，以较小过充量释放薄膜材料中应力缺陷，从而生长出高晶体质量的失配层材料。

本发明授权一种基于过冲回调的非线性渐变失配层的正向四结太阳电池在权利要求书中公布了：1.一种基于过冲回调的非线性渐变失配层的正向四结太阳电池，其特征在于，包括锗衬底，所述锗衬底的顶部从下至上依次为GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一遂穿结、第一DBR非线性渐变失配层、Ga1-xInxAs电池、第二遂穿结、第二DBR非线性渐变失配层、Ga1-eIneAs1-mP1-m电池、第三遂穿结、AlfGa1-f1-yInyP电池和帽层； 其中，其中第一和第二DBR非线性渐变失配层的组成相同或不同，其通式均为AlcGa1-c1-bInbAsAldGa1-d1-bInbAsDBR，初始层至目标渐变层In的组分b从下至上从0.01非线性渐变到x，非线性渐变失配层中每层In的组分b按照比例i过冲回调，i为3%-35%； 所述AlcGa1-c1-bInbAsAldGa1-d1-bInbAsDBR中，0≤c≤0.5、0.5≤d≤1和0.01≤b≤0.6； 所述Ga1-xInxAs电池中，0.05≤x≤0.6； 所述Ga1-eIneAs1-mP1-m电池中，0.1≤e≤0.6和0.01≤m≤0.9； 所述AlfGa1-f1-yInyP电池中，0.1≤f≤0.6和0.4≤y≤0.9。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津蓝天太阳科技有限公司，其通讯地址为：300380 天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰华科七路6号太阳电池及控制器厂房二层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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