江苏鑫华半导体科技股份有限公司田新获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请的专利纳米硅及其制备方法和锂离子电池负极材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116282034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310166361.2，技术领域涉及：C01B33/029；该发明授权纳米硅及其制备方法和锂离子电池负极材料是由田新;江宏富;赵佳旗;张建立;袁北京设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米硅及其制备方法和锂离子电池负极材料在说明书摘要公布了：本发明提供了纳米硅及其制备方法和锂离子电池负极材料。制备纳米硅的方法包括：S100：将混合气体通入预热器进行预热达到预热温度，混合气体包括反应硅基气体和载气；S200：将预热后的混合气体通过气相反应器的第一进气口通入气相反应器中进行气相沉积反应，得到气粉混合产物，气相沉积反应的温度大于预热温度；S300：对气粉混合产物进行冷却、分离，得到纳米硅和尾气，纳米硅的平均粒径小于等于100nm，步骤S100、步骤200以及步骤S300均在惰性气体保护下进行。通过上述方法气相沉积法制备纳米硅，可以得到粒径小于等于100nm的纳米硅，上述步骤均在惰性气体保护下完成的，进而有助于得到纯度较高的纳米硅。
本发明授权纳米硅及其制备方法和锂离子电池负极材料在权利要求书中公布了：1.一种制备纳米硅的方法，其特征在于，包括： S100：将混合气体通入预热器进行预热达到预热温度，其中，所述混合气体包括反应硅基气体和载气； S200：将所述预热后的所述混合气体通过气相反应器的第一进气口通入所述气相反应器中进行气相沉积反应，得到气粉混合产物，所述气相沉积反应的温度大于所述预热温度； S300：对所述气粉混合产物进行冷却、分离，得到所述纳米硅和尾气，所述纳米硅的平均粒径小于等于100nm， 其中，步骤S100、步骤200以及步骤S300均在惰性气体保护下进行， 还包括：在进行所述气相沉积反应的过程中，通过所述气相反应器的第二进气口向所述气相反应器中通入所述载气， 所述预热温度为80℃～600℃， 所述反应硅基气体为二氯二氢硅、三氯氢硅中的至少一种， 所述载气为氢气、氩气和氮气中的一种。
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