绍兴中芯集成电路制造股份有限公司王一波获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种MEMS器件及其制备方法、电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116281835B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211735809.X，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS器件及其制备方法、电子装置是由王一波;谢红梅;赵利军设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：提供衬底，衬底包括敏感膜层，在敏感膜层中设置有至少一个压敏电阻，在敏感膜层上设置有结构支撑层，结构支撑层中形成有参考压力腔，在参考压力腔的外侧形成有贯穿结构支撑层的通孔；在通孔的侧壁和底部、以及结构支撑层的表面形成重布线层，其中重布线层电连接至少一个压敏电阻；在重布线层的至少部分表面覆盖干膜层，干膜层与位于通孔侧壁上的重布线层贴合且在通孔的底部干膜层和重布线层之间形成有隔离腔。本发明的方法能够形成干膜层作为重布线层的保护层，对硅通孔内部金属进行了保护，避免了硅通孔内部金属的损伤。
本发明授权一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底，所述衬底包括敏感膜层，在所述敏感膜层中设置有至少一个压敏电阻，在所述敏感膜层上设置有结构支撑层，所述结构支撑层中形成有参考压力腔，在所述参考压力腔的外侧形成有贯穿所述结构支撑层的通孔； 在所述通孔的侧壁和底部、以及所述结构支撑层的表面形成重布线层，其中所述重布线层电连接至少一个所述压敏电阻； 在所述重布线层的至少部分表面覆盖干膜层，所述干膜层与位于所述通孔侧壁上的重布线层贴合且在所述通孔的底部所述干膜层和所述重布线层之间形成有隔离腔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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