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龙图腾网获悉西南技术物理研究所申请的专利一种超导薄膜新型纳米结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116261391B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211707633.7，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一种超导薄膜新型纳米结构的制备方法是由谭杨;谢修敏;徐强;蒋若梅;黄帅;陈剑;胡卫英;张伟;宋海智设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超导薄膜新型纳米结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超导薄膜新型纳米结构的制备方法，在薄膜表面首先铺AAO模板，而后确定打孔区域，最后通过刻蚀，在选定的多个打孔区域内形成指定孔径和周期的多孔结构；薄膜为钇钡铜氧YBCO或氮化铌NbN。本发明局域打孔的纳米加工技术，充分保护无需打孔部分，工艺简单有效；指定打孔区域可以是任意形状，同时可以大面积选区打孔，大部分的微纳加工技术无法做到。

本发明授权一种超导薄膜新型纳米结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超导薄膜纳米结构的制备方法，其特征在于，在薄膜表面首先铺AAO模板，而后确定打孔区域，最后通过刻蚀，在选定的多个打孔区域内形成指定孔径和周期的多孔结构； 准备材料：STO衬底上的YBCO薄膜，YBCO薄膜厚度为20nm以及200nm-300nm厚的AAO模板；实施以下步骤进行打孔： S1、标记区光刻镀金； S2、光敏区光刻及纳米孔阵列制备； S3、光刻和ICP刻蚀隔离槽； S4、电极区光刻镀金； 步骤S1中，标记区光刻镀金的过程为： S11清洗：分别用丙酮、乙醇、去离子水对样品进行超声清洗各5min，而后氮气吹干，清除表面的灰尘杂质； S12前烘：在100℃的热台上烘5min以去除样品表面的水分，利于光刻胶粘附在样品表面； S13光刻胶旋涂：采用离心甩胶，先将样品真空吸在转轴上，再在表面滴2-3滴光刻胶，让甩胶机以1000rmin的转速旋转10s，使光刻胶均匀地完全覆盖在样品表面，再以3000rmin旋转30s，控制光刻胶的厚度为1.4μm； S14软烘：在100℃的热台上烘60s，去除光刻胶中有机溶剂，使之干燥固化； S15曝光：调整样品台位置使其对准掩模版上的图案，真空吸，然后进行6.5s的曝光，形成标记区，标记区包括光敏区两侧的两个十字标记、芯片右侧共电极下方两个数字乘积以及光敏面和电极旁边的数字标记；十字标记与后续刻蚀的隔离槽相互呼应，起对准的作用；两个数字的乘积则是芯片中单个光敏面的面积；数字标记则是为了让光敏面与电极一一对应； S16显影：将样品浸入显影液中，轻微晃动加速显影，直至光刻胶被溶解完，而后立即拿出样品浸入去离子水中漂洗，然后吹干； S17坚膜：在120℃的热台上烘5min，去除光刻胶中残余的溶剂； S18标记区镀金； S19剥离：采用丙酮溶液，器件浸入丙酮溶液超声，显现出图案，而后氮气吹干。

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