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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利金属浮栅存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209261B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310172579.9，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权金属浮栅存储器及其制造方法是由顾珍;张磊;陈昊瑜设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属浮栅存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属浮栅存储器，具有金属浮栅侧壁结构，金属浮栅侧壁结构包括：自对准形成于第一栅极沟槽侧面的第一氧化层以及第二氮化层并叠加形成第一侧侧墙。以第二氮化层的第二侧面为自对准条件对底部的半导体衬底进行刻蚀形成的第二凹槽。第三隧穿氧化层自对准形成在第二氮化层的第二侧面和底部的第二凹槽的侧面并延伸到第二凹槽的底部表面。金属浮栅自对准形成在第三隧穿氧化层的第二侧面，在金属浮栅的第二侧面形成有第二侧侧墙，由第四氧化层、第五氮化层、第六氧化层和第七氮化层叠加而成。金属浮栅侧壁结构呈ONO‑金属浮栅‑ONON结构。本发明还提供一种金属浮栅存储器的制造方法。本发明能降低金属浮栅周围的氧含量从而改善器件的擦除性能。

本发明授权金属浮栅存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种金属浮栅存储器，其特征在于：具有金属浮栅侧壁结构； 所述金属浮栅侧壁结构形成于第一栅极沟槽中，所述第一栅极沟槽将底部的半导体衬底表面打开； 所述金属浮栅侧壁结构包括： 自对准形成于所述第一栅极沟槽侧面的第一氧化层以及第二氮化层，所述第一氧化层和所述第二氮化层叠加形成第一侧侧墙； 以所述第二氮化层的第二侧面为自对准条件对底部的所述半导体衬底进行刻蚀形成的第二凹槽； 第三隧穿氧化层自对准形成在所述第二氮化层的第二侧面和底部的所述第二凹槽的侧面并延伸到所述第二凹槽的底部表面； 金属浮栅自对准形成在所述第三隧穿氧化层的第二侧面，所述金属浮栅和所述半导体衬底之间通过所述第三隧穿氧化层隔离； 在所述金属浮栅的第二侧面形成有第二侧侧墙，所述第二侧侧墙由第一层侧墙和第二层侧墙叠加而成，所述第一层侧墙由第四氧化层和第五氮化层叠加而成，第二层侧墙由第六氧化层和第七氮化层叠加而成； 所述金属浮栅侧壁结构呈ONO-金属浮栅-ONON结构，O表示氧化层，N表示氮化层，所述金属浮栅两侧的氮化层用于降低所述金属浮栅两侧的氧含量，从而保护所述金属浮栅的材料特性。

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