无锡华润上华科技有限公司梁旦业获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利静电放电保护结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111443893.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电放电保护结构是由梁旦业设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电放电保护结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种静电放电保护结构。该静电放电保护结构中，衬底具有第一导电类型；源极区和漏极区均具有与第一导电类型相反的第二导电类型，且间隔设置在衬底中；栅极结构设置在源极区和漏极区之间的衬底上；浮空设置的第一掺杂区具有第一导电类型，设置在漏极区的远离栅极结构的一侧的衬底中，且与漏极区间隔设置，第一掺杂区的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度；源极区和栅极结构共同电连接至第一电位端，漏极区电连接至第二电位端。增加第一掺杂区能够降低静电放电保护结构的寄生NPN晶体管的集电结的雪崩击穿电压，有助于降低静电放电保护结构的触发电压。
本发明授权静电放电保护结构在权利要求书中公布了：1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括： 衬底，具有第一导电类型； 源极区和漏极区，均具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，间隔设置在所述衬底中； 栅极结构，设置在所述源极区和所述漏极区之间的衬底上； 第一掺杂区，具有第一导电类型，设置在所述漏极区的远离所述栅极结构的一侧的所述衬底中，且与所述漏极区间隔设置，所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度，所述第一掺杂区与所述漏极区之间的间距根据所述静电放电保护结构所需的触发电压的大小设置； 所述源极区和所述栅极结构共同电连接至第一电位端，所述漏极区电连接至第二电位端，所述第一掺杂区为浮空设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡华润上华科技有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励