上海华力集成电路制造有限公司许任辉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利降低HKMG器件功函数层损伤的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310245663.9，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权降低HKMG器件功函数层损伤的方法是由许任辉;伏广才设计研发完成，并于2023-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低HKMG器件功函数层损伤的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种降低HKMG器件功函数层损伤的方法，所述方法包括：步骤1提供一半导体结构，包括衬底及形成于所述衬底上的多个半导体器件的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、功函数层及金属栅的层叠结构，其中，所述功函数层形成于所述栅介质层与所述金属栅之间，并呈U型位于所述金属栅的侧壁及底部；步骤2于所述功函数层及所述金属栅的表面选择性生长金属阻挡层；步骤3于步骤2所形成结构的表面形成介质层；步骤4图案化刻蚀所述介质层以于所述金属栅的上方形成接触孔。通过本发明解决了现有的HKMG器件形成接触孔的过程中损伤功函数层使得阈值电压漂移的问题。
本发明授权降低HKMG器件功函数层损伤的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低HKMG器件功函数层损伤的方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤1提供一半导体结构，包括衬底及形成于所述衬底上的多个半导体器件的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、功函数层及金属栅的层叠结构，其中，所述功函数层形成于所述栅介质层与所述金属栅之间，并呈U型位于所述金属栅的侧壁及底部； 步骤2于所述功函数层及所述金属栅的表面选择性生长金属阻挡层； 步骤3于步骤2所形成结构的表面形成介质层； 步骤4图案化刻蚀所述介质层以于所述金属栅的上方形成接触孔，所述金属阻挡层防止形成所述接触孔的过程对所述功函数层及所述金属栅造成损伤； 其中，所述半导体器件包括PMOS管及NMOS管，且所述PMOS管与所述NMOS管具有相同的栅极结构。
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