上海华力集成电路制造有限公司马雁飞获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利提升PMOS器件AC性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310166357.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权提升PMOS器件AC性能的方法是由马雁飞;万霖;王昌锋设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本提升PMOS器件AC性能的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提升PMOS器件AC性能的方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，有源区上形成有PMOS结构以及NMOS结构，衬底上PMOS结构之外的区域上形成有保护层，PMOS结构由栅极结构以及位于栅极结构两侧的外延层组成，栅极结构由叠层以及依次位于叠层侧壁上的第一、二侧墙组成；刻蚀第二侧墙，使得外延层与栅极结构间隙之外的第二侧墙去除，刻蚀去除间隙中的第二侧墙；在衬底上形成覆盖剩余的叠层、第一侧墙、外延层的低K介质层；刻蚀低K介质层，使得外延层与栅极结构间隙中的低K介质层保留。本发明将低K介质层保存在源漏端与栅极间的间隙里面，由于低K介质层材料的介电常数较低，降低了源漏端与栅极间的寄生电容，提高了PMOS器件的AC性能。
本发明授权提升PMOS器件AC性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种提升PMOS器件AC性能的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有STI以定义出有源区，所述有源区上形成有PMOS结构以及NMOS结构，所述衬底上所述PMOS结构之外的区域上形成有保护层，所述PMOS结构由栅极结构以及位于栅极结构两侧的外延层组成，所述栅极结构由叠层以及依次位于所述叠层侧壁上的第一、二侧墙组成； 步骤二、刻蚀所述第二侧墙，使得所述外延层与所述栅极结构间隙之外的所述第二侧墙去除，之后刻蚀去除所述间隙中的所述第二侧墙； 步骤三、在所述衬底上形成覆盖剩余的所述叠层、所述第一侧墙、所述外延层的低K介质层； 步骤四、刻蚀所述低K介质层，使得位于所述外延层侧壁与所述第一侧墙之间的所述低K介质层保留。
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