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龙图腾网获悉上海馨欧集成微电有限公司申请的专利一种纵向泄露声表面波滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116073791B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310121666.1，技术领域涉及：H03H9/64；该发明授权一种纵向泄露声表面波滤波器是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纵向泄露声表面波滤波器在说明书摘要公布了：本发明提供一种纵向泄露声表面波滤波器，涉及无源电学器件领域，包括多个电学级联的谐振器，用于激发纵向泄露声表面波模式；每个谐振器包括支撑衬底、压电薄膜结构和电极阵列；所述电极阵列均包括叉指电极阵列和反射栅阵列；所述谐振器中串联谐振器的波长小于并联谐振器的波长；串联谐振器第一压电薄膜结构的第一厚度小于并联谐振器第二压电薄膜结构的第二厚度，以使所述串联谐振器的归一化膜厚与所述并联谐振器的归一化膜厚之间的差值在预设范围内，以此抑制纵向泄露声表面波滤波器通带外杂散模式，降低通带内损耗，提升滤波器性能。

本发明授权一种纵向泄露声表面波滤波器在权利要求书中公布了：1.一种纵向泄露声表面波滤波器，其特征在于，包括： 多个电学级联的谐振器，所述谐振器用于激发纵向泄露声表面波模式；每个所述谐振器包括支撑衬底、压电薄膜结构和电极阵列；所述电极阵列均包括平行排布的叉指电极阵列和设于所述叉指电极阵列两端的反射栅阵列； 所述谐振器包括串联谐振器和并联谐振器，其中， 所述串联谐振器的波长小于所述并联谐振器的波长；所述串联谐振器的第一压电薄膜结构具有第一厚度；所述并联谐振器的第二压电薄膜结构具有第二厚度；所述第一压电薄膜结构和所述第二压电薄膜结构为压电薄膜、或者压电薄膜与介质层形成的复合薄膜结构；所述纵向泄露声表面波滤波器中包括至少两种所述压电薄膜结构厚度； 所述第一压电薄膜结构的所述第一厚度小于所述第二压电薄膜结构的所述第二厚度，以使所述串联谐振器的归一化膜厚与所述并联谐振器的归一化膜厚均在预设范围内；所述归一化膜厚表征所述谐振器的压电薄膜结构厚度与所述谐振器波长的比值；其中，当所述第一压电薄膜结构为压电薄膜，所述第二压电薄膜结构为压电薄膜与介质层形成的复合薄膜结构时，所述第一压电薄膜结构的压电薄膜厚度与所述第二压电薄膜结构的压电薄膜厚度一致，所述第二压电薄膜结构的介质层厚度小于1微米；所述第二压电薄膜结构的介质层位于所述第二压电薄膜结构的压电薄膜上表面或下表面； 所述预设范围为β，β+1.5％；其中，β满足16％＜β＜30.5％。

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