芯天下技术股份有限公司李文菊获国家专利权
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龙图腾网获悉芯天下技术股份有限公司申请的专利闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938411B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211677531.5，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质是由李文菊;黎永健;彭永林;饶锦航设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及闪存芯片技术领域，具体公开了一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取第一阈值电压差和第二阈值电压差；根据第一阈值电压差和第二阈值电压差分别更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值；该方法基于第一阈值电压差和第二阈值电压差更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值能在存储单元的使用特性下降时及时更新合适的擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值，以确保擦除操作能高效、顺利地完成执行。
本发明授权闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种闪存芯片的擦除电压配置方法，用于配置闪存芯片执行擦除操作的相关电压，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 获取第一阈值电压差和第二阈值电压差，所述第一阈值电压差为目标存储区域在上一cycle次数区间中首尾两次擦除操作中的第一次擦除脉冲后产生的最高存储单元阈值电压之差，所述第二阈值电压差为所述目标存储区域在上一cycle次数区间中首尾两次擦除操作中的第一次弱编程脉冲后产生的最高存储单元阈值电压之差； 根据所述第一阈值电压差和所述第二阈值电压差分别更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值。
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