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龙图腾网获悉无锡华润华晶微电子有限公司申请的专利一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115842049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111118333.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法是由李巍;芮强设计研发完成，并于2021-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，该晶体管包括基底、沟槽栅结构、发射区、绝缘埋层、接触区、层间介质层、发射极导电层及导电连接部，其中，基底设有依次层叠的集电区、场截止层、漂移层及基区，绝缘埋层位于基区内且在发射区下方，并与沟槽栅结构间隔预设距离。本发明一方面通过在发射区下方增加绝缘埋层，阻挡空穴电流流经发射区和基区，从而使得PN结正偏变得非常困难，防止PN结正偏带来的闩锁效应；另一方面通过贯穿绝缘埋层的接触孔，使得发射极导电层连接至P型基区形成槽型发射极，深槽发射极可以缩短空穴流经路径，加速抽取空穴，实现良好的关断特性。所以本发明不仅可以提升IGBT的抗闩锁能力，而且还能提升器件的关断能力。

本发明授权一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括： 基底，设有自下而上依次层叠的集电区、场截止层、漂移层及基区； 至少两个间隔设置的沟槽栅结构，所述沟槽栅结构由所述基区的上表面贯穿所述基区并延伸进所述漂移层中； 发射区，位于所述基区的上表层，且与所述沟槽栅结构邻接； 绝缘埋层，位于所述基区内且在所述发射区下方，并与所述沟槽栅结构间隔预设距离； 接触区，位于所述基区内且在所述绝缘埋层下方； 层间介质层，位于所述沟槽栅结构及所述发射区上； 发射极导电层，位于所述层间介质层上； 导电连接部，贯穿所述层间介质层、所述发射区及所述绝缘埋层并延伸至所述接触区，所述发射极导电层通过所述导电连接部与所述接触区电连接； 其中，所述集电区、所述基区及所述接触区为第一导电类型，所述场截止层、所述漂移层及所述发射区为第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；所述绝缘埋层与所述发射区邻接，并与所述接触区邻接。

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