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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种闪存单元结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115835630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111088254.X，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种闪存单元结构及其制作方法是由樊航;冯冰;张文文;黄仁瑞设计研发完成，并于2021-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种闪存单元结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种闪存单元结构及其制作方法，该方法形成阶梯型开口于介质叠层中，并基于阶梯型开口刻蚀介质叠层、硬掩膜层及浮栅导电层直至第一沟槽的底部显露栅介质层，第二沟槽的底部显露浮栅导电层；然后形成绝缘层于浮栅导电层的暴露表面，并去除浮栅导电层未被绝缘层遮挡的部分以得到浮栅，浮栅的第一侧面及顶面被绝缘层所覆盖；而后再形成隔离侧墙于浮栅的第二侧面，并形成字线，其中，当浮栅数量为多个时，多条字线在水平方向上间隔设置并分别位于多个浮栅的同一侧。其中，阶梯型开口的形成利用了光刻机台固有的相位差，多条字线分别位于多个浮栅的同一侧可降低电路设计的复杂性，降低闪存单元结构的占用面积，有利于提高存储器件的集成度。

本发明授权一种闪存单元结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存单元结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，自下而上依次形成栅介质层、浮栅导电层、硬掩膜层及介质叠层于所述衬底上； 形成阶梯型开口于所述介质叠层中，所述阶梯型开口包括第一沟槽与第二沟槽，所述第二沟槽自所述介质叠层上表面往下延伸，且所述第二沟槽的底部停留在所述介质叠层中，所述第一沟槽自所述第二沟槽的底部往下延伸，且所述第一沟槽的底部显露所述硬掩模层； 基于所述阶梯型开口刻蚀所述介质叠层、所述硬掩膜层及所述浮栅导电层直至所述第一沟槽的底部显露所述栅介质层，所述第二沟槽的底部显露所述浮栅导电层； 形成绝缘层于所述浮栅导电层的被所述第一沟槽及所述第二沟槽显露的表面； 去除所述硬掩膜层，去除所述浮栅导电层的未被所述绝缘层遮挡的部分以得到至少一浮栅，所述浮栅包括相对设置的第一侧面与第二侧面，且所述浮栅的所述第一侧面及顶面被所述绝缘层所覆盖； 形成隔离侧墙于所述浮栅的所述第二侧面； 形成覆盖在所述绝缘层上的字线，所述字线还延伸覆盖至所述隔离侧墙的表面。

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