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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利MEMS麦克风及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115720322B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211493682.5，技术领域涉及：H04R19/04；该发明授权MEMS麦克风及其制造方法是由鲁列微;徐泽洋设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS麦克风及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MEMS麦克风及其制造方法，该MEMS麦克风包括：衬底，所述衬底中部具有第一空腔；第一支撑层，位于所述衬底上，所述第一支撑层中部具有第二空腔；振膜层，位于所述支撑层上，所述振膜层包括可动部，所述可动部的中间部分的厚度小于所述振膜层的边缘部分的厚度；第二支撑层，位于所述振膜层上，第二支撑层中部具有第三空腔，其中，所述可动部位于所述第二空腔和所述第三空腔之间；背极板层，所述背极板层位于所述第二支撑层上。根据本申请的MEMS麦克风，具有较好的灵敏度和机械性能。

本发明授权MEMS麦克风及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS麦克风的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成第一支撑层； 在所述第一支撑层上形成振膜层，其中，所述振膜层包括可动部，所述可动部的中间部分的厚度小于所述可动部的边缘部分的厚度； 在所述振膜层上形成第二支撑层，在所述第二支撑层上形成背极板层； 在所述衬底中部形成第一空腔，在所述第一支撑层中部形成第二空腔，在所述第二支撑层中部形成第三空腔，其中，所述可动部位于所述第二空腔和所述第三空腔之间； 其中，所述振膜层还包括支撑部； 所述支撑部呈环形，自所述可动部的边缘部分向所述衬底延伸且位于所述第二空腔中，且所述支撑部的外侧壁面与所述第一支撑层的内侧壁面贴合； 其中，所述形成振膜层，包括： 在所述第一支撑层上靠近边缘的位置形成环形沟槽； 在所述第一支撑层上沉积第三振膜层，所述第三振膜层填充所述环形沟槽且覆盖所述第一支撑层的上表面； 刻蚀所述第三振膜层的中间部分形成第三凹槽并露出所述第一支撑层； 在所述第三凹槽中沉积第一支撑层以填充所述第三凹槽，其中，所述第一支撑层的上表面与所述第三振膜层的上表面平齐； 在所述第三振膜层和位于所述第三凹槽中的第一支撑层上沉积第四振膜层，其中，所述第三振膜层和第四振膜层材质相同，位于所述第一支撑层上的所述第三振膜层和所述第四振膜层共同形成所述可动部，所述可动部的中间部分的下侧具有第四凹槽，位于所述环形沟槽中的所述第三振膜层为所述支撑部。

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