杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学刘国华获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司;杭州电子科技大学申请的专利一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115693063B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211121665.9，技术领域涉及：H01P1/207；该发明授权一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器是由刘国华;宋宇;尤明晖;余建源;程知群设计研发完成，并于2022-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器，宽阻带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构，谐振腔上层金属刻蚀出四个形状相同的新型互补开口谐振环，记为宽阻谐振环，上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线，记为宽阻容性开槽线，下层金属刻蚀形成缺陷地；双频带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构，谐振腔上层金属刻蚀出四个新型互补开口谐振环，四个开口谐振环按大小不同分成两组记为大谐振环和小谐振环，上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线，记为双频容性开槽线，沿横向刻蚀形成栅状开槽线，上层金属锥形接口处刻蚀形成对称的开槽微带线，谐振腔内部设有金属沉孔，连接电路接地面形成慢波基片集成波导结构。
本发明授权一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器在权利要求书中公布了：1.一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器，其特征在于，包括宽阻带带通滤波器和双频带带通滤波器，其中， 所述宽阻带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构，谐振腔上层金属刻蚀出四个形状相同的新型互补开口谐振环，记为宽阻谐振环，上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线，记为宽阻容性开槽线，下层金属刻蚀形成缺陷地； 所述双频带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构，谐振腔上层金属刻蚀出四个新型互补开口谐振环，四个开口谐振环按大小不同分成两组，记为大谐振环和小谐振环，上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线，记为双频容性开槽线，沿横向刻蚀形成栅状开槽线，上层金属锥形接口处刻蚀形成对称的开槽微带线，谐振腔内部设有金属沉孔，连接电路接地面形成慢波基片集成波导结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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