成都善思微科技有限公司蒋沁伶获国家专利权
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龙图腾网获悉成都善思微科技有限公司申请的专利一种芯片拼接方法及芯片拼接结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692442B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211198276.6，技术领域涉及：H10F39/95；该发明授权一种芯片拼接方法及芯片拼接结构是由蒋沁伶;马帅辉;李志华;罗杰设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片拼接方法及芯片拼接结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种芯片拼接方法及芯片拼接结构，包括以下步骤：S1.将两个芯片放置于测距仪器下拼接，使其两个所述芯片上相邻的像素间距等于N倍所述测距仪器的像素尺寸；S2.拼接完成后，用粘接件粘接两个所述芯片的拼缝，使其两个所述芯片粘接牢固；S3.重复步骤S1、S2，直至将M*T个所述芯片粘接牢固形成芯片组件；S4.在所述芯片组件表面粘接可移除的无痕胶，并通过所述无痕胶将所述芯片组件粘接在固定板上；S5.在衬板上涂覆有粘接介质，将所述芯片组件和所述固定板转移至所述衬板上，使其所述芯片组件表面且与所述固定板相对一侧与所述粘接介质抵接粘接。本发明拼接后可无损拆卸芯片组件，极大地解决了由于芯片不良导致的模组的整体报废。
本发明授权一种芯片拼接方法及芯片拼接结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片拼接方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.将两个芯片1放置于测距仪器下拼接，使其两个所述芯片1上相邻的像素2间距等于N倍所述测距仪器的像素尺寸； S2.拼接完成后，用粘接件3粘接两个所述芯片1的拼缝，使其两个所述芯片1粘接牢固； S3.重复步骤S1、S2，直至将M*T个所述芯片1粘接牢固形成芯片组件； S4.在所述芯片组件表面粘接可移除的无痕胶4，并通过所述无痕胶4将所述芯片组件粘接在固定板5上； S5.在衬板7上涂覆有粘接介质6，将所述芯片组件和所述固定板5转移至所述衬板7上，使其所述芯片组件表面且与所述固定板5相对一侧与所述粘接介质6抵接粘接； S6.去除所述固定板5、所述芯片组件上的所述粘接件3和所述无痕胶4，使其所述芯片组件表面与所述衬板7通过所述粘接介质6粘接。
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