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龙图腾网获悉无锡中微亿芯有限公司申请的专利一种FPGA中SRAM存储单元的数据读取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115631777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211300917.4，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权一种FPGA中SRAM存储单元的数据读取方法是由徐玉婷;何小飞;张艳飞设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种FPGA中SRAM存储单元的数据读取方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种FPGA中SRAM存储单元的数据读取方法，涉及FPGA领域，该方法控制选中的SRAM存储单元的字线从t0时刻开始从低电平状态切换至高电平状态直至t4时刻切换回低电平状态；字线电压值在t0时刻升压至预设下限电压值实现切换至高电平状态，并从预设下限电压值开始按照预设升压模式逐步升高直至达到预设上限电压值，且字线电压值的升压速度不超过预设升压速度。字线电压值按照较小的升压速度逐步升压，从而有效避免字线电压值瞬间切换到高电平状态时的预设上限电压值时产生的电压过冲的问题，避免了因此对SRAM存储单元中数据的影响，保证了数据读取的准确性，且保证了FPGA中的数据不被损坏。

本发明授权一种FPGA中SRAM存储单元的数据读取方法在权利要求书中公布了：1.一种FPGA中SRAM存储单元的数据读取方法，其特征在于，所述方法包括： 对选中的SRAM存储单元的位线进行预充电，控制选中的SRAM存储单元的字线从t0时刻开始从低电平状态切换至高电平状态直至t4时刻切换回低电平状态；在t0时刻到t4时刻的时间范围内通过位线对选中的SRAM存储单元进行数据读取； 其中，选中的SRAM存储单元的字线电压值在t0时刻升压至预设下限电压值实现切换至高电平状态，并从预设下限电压值开始按照预设升压模式逐步升高直至达到预设上限电压值，且字线电压值的升压速度不超过预设升压速度，包括从低电平状态VL下的电压值升压到预设下限电压值时的升压速度不超过预设升压速度，以及从预设下限电压值升压至预设上限电压值Vmax的升压速度不超过预设升压速度； 在FPGA的调试阶段，调节字线电压值的升压模式，并分别通过位线对各个SRAM存储单元进行数据读取，直至确定预设升压模式；当字线电压值按照预设升压模式进行升压时，对所有SRAM存储单元都能在t0时刻到t4时刻的时间范围内完成数据读取操作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡中微亿芯有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A6幢1-4层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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