浙江大学杭州国际科创中心董树荣获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种采用应力控制获得空腔结构的薄膜体声波器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211096224.8，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种采用应力控制获得空腔结构的薄膜体声波器件及其制备方法是由董树荣;轩伟鹏;刘刚;金浩;高峰;骆季奎设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用应力控制获得空腔结构的薄膜体声波器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了采用应力控制获得空腔结构的薄膜体声波器件的制备方法，包括在衬底上形成自然氧化层，在自然氧化层上设定有效区域，在有效区域内分别形成压电种子层和牺牲层，压电种子层上形成第一电极，牺牲层的高度不低于压电种子层和第一电极的高度和，去除有效区域以外的自然氧化层以暴露衬底；在暴露的衬底，牺牲层和第一电极的表面上沉积具有内应力的压电薄膜，在压电薄膜上沉积第二电极，金属pad层与第一电极和第二电极相连，通过牺牲层释放孔去除有效区域内的牺牲层和自然氧化层形成空腔。该方法能够有效解决传统工艺中牺牲层移除困难的问题，制备方法简单、高效，本发明还公开了一种空腔薄膜体声波器件。
本发明授权一种采用应力控制获得空腔结构的薄膜体声波器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种采用应力控制获得空腔结构的薄膜体声波器件的制备方法，其特征在于，包括： 1在衬底上形成自然氧化层，在自然氧化层上设定有效区域，在有效区域内分别形成压电种子层和牺牲层，压电种子层上形成第一电极，牺牲层位于压电种子层两侧或环绕压电种子层，其中，牺牲层的高度不低于压电种子层和第一电极的高度和，去除有效区域以外的自然氧化层以暴露衬底； 2在暴露的衬底，牺牲层和第一电极的表面上沉积内应力为600-1500Mpa的压电薄膜，在压电薄膜上沉积第二电极，在第二电极上沉积第一金属pad层，在压电薄膜上刻蚀金属pad填充孔至第一电极，通过金属pad填充孔在第一电极上沉积第二金属pad层，在压电薄膜上刻蚀牺牲层释放孔； 3向牺牲层释放孔加入腐蚀液用于去除有效区域内的牺牲层和自然氧化层，使得有效区域内的压电薄膜在内应力的作用下发生形变导致压电种子层与硅衬底分离形成空腔进而得到空腔薄膜体声波器件。
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