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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利正式钙钛矿/量子点两端叠层太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211119572.2，技术领域涉及：H10K30/40；该发明授权正式钙钛矿/量子点两端叠层太阳能电池及制备方法是由宋海胜;李明宇;赵鑫昭设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本正式钙钛矿/量子点两端叠层太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属太阳能光伏制备领域，具体涉及正式钙钛矿量子点两端叠层太阳能电池及制备方法，该电池结构依次分别为导电玻璃、第一电子抽取层、钙钛矿吸光层、第一空穴抽取层、致密隧穿层、量子点吸光层、第二空穴抽取层和对电极；其中，隧穿层可保护钙钛矿和高效复合的同时具备传输电子的功能，简化工艺的同时提升效率；并提出通过溶剂正交转变，新引入无机PbS量子点作为叠层的空穴传输层，解决了空穴层溶剂与钙钛矿子电池不兼容的问题。本发明通过隧穿层结构的设计替代了原有的隧穿层加电子传输层结构；并通过溶剂转变解决钙钛矿量子点两端叠层体系缺乏第二空穴传输层的难题。大大提高叠层电池的效率和稳定性，具备实现1+11的潜力。

本发明授权正式钙钛矿/量子点两端叠层太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种正式结构的钙钛矿量子点两端叠层太阳能电池，其特征在于，器件结构包括：从上到下依次层叠的导电玻璃、第一电子抽取层、钙钛矿吸光层、第一空穴抽取层、致密隧穿层、量子点吸光层和对电极； 其中，所述致密隧穿层通过气相沉积法沉积得到，所述致密隧穿层是由单一低功函且具备传输电子功能的N型半导体材料层和单一高功函P型半导体材料层匹配组成的；具体为，致密隧穿层由超薄金层和AZO层组成，AZO层通过原子力沉积法或等离子体沉积法沉积得到；或者，致密隧穿层由原子力沉积方法得到的In2O3与金组合；或者，致密隧穿层由原子力沉积法得到的SnO2与磁控溅射的ITO进行组合； 所述第一空穴抽取层的功能材料为无机PbS量子点，电池是通过以下方式制备得到：无机PbS量子点的分散剂选用极性小于3、沸点小于150℃的溶剂；当在所述钙钛矿吸光层上旋涂无机PbS量子点溶液之后，采用含巯基的短链配体去除无机PbS量子点薄膜表面油酸，所述含巯基的短链配体的分散剂选用极性大于3小于5、沸点小于100℃的溶剂。

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